ستستمر TSMC في استخدام تغليف Micro-Bump لـ HBM حتى HBM5

تشينكاتشتر: وفقًا لمصادر صناعية مواد، أفادت في 2 سبتمبر أن تايوان سيميكوندكتور مانوفاكتورينغ (TSMC) تتوقع الاستمرار في استخدام تقنية الميكرو بوند التقليدية بدلاً من الربط الهجين لربط ذاكرة HBM عالية النطاق الترددي مع وحدات تسريع الذكاء الاصطناعي في التغليف المتقدم. نظرًا لدورات تطوير المواد ذات الصلة، من المتوقع أن تظل ميكرو بوندات بمسافات أضيق قيد الاستخدام حتى المرحلة المتأخرة من HBM4 والمرحلة المبكرة من HBM5. طلبت TSMC من شركاء المواد والمعدات تطوير حلول ربط وحشو سفلي لميكرو بوندات بحجم حوالي 5 ميكرومتر، وقد بدأت الموردون الكوريون واليابانيون بالتطوير، ومن المتوقع أن يبدأ إنتاج ميكرو بوندات بحجم 5 ميكرومتر في النصف الثاني من عام 2028. حاليًا، ارتفاع الميكرو بوندات في HBM3E، وهو الجيل الثالث الموسّع من HBM، يتراوح بين 15-25 ميكرومتر، بينما يقترب HBM4 من حوالي 10 ميكرومتر. وقد أفاد موردون يابانيون للمواد سابقًا بصعوبة ضمان الجودة تحت 15 ميكرومتر. يتم تقصير وتحسين دقة الميكرو بوندات بسبب قيود ارتفاع مكعبات HBM ومتطلبات كثافة اتصال أعلى. تحدد JEDEC الحد الأقصى لارتفاع تجميع HBM بـ 775 ميكرومتر. في تغليف CoWoS المتقدم من TSMC، يتم تركيب تجميعات HBM التي تم تجميعها مسبقًا من قبل مزودي وحدات المعالجة الرسومية والذاكرة عبر الميكرو بوندات على طبقة السيليكون الوسيطة، ويتم إنجاز تجميع 16 طبقة من رقائق DRAM داخل تغليف HBM من قبل SK hynix وSamsung Electronics. استخدمت الأجيال الأولى والثانية من HBM ميكرو بوندات أكبر، وأصبحت الميكرو بوندات سائدة تقريبًا مع جيل HBM3. تستخدم SK hynix عملية MR-MUF، بينما تستخدم Samsung Electronics TC-NCF. يسمح الربط الهجين بتحقيق اتصالات أرق وأكثر كثافة من خلال الربط المباشر لألواح النحاس، وقد استخدمت TSMC هذا في منصة SoIC لترصيص رقائق المنطق، لكن HBM لا يزال يربط بالطبقة الوسيطة عبر الميكرو بوندات.