رسالة ChainThink، وفقًا لتقارير The Information، أفاد شخصان مطلعان أن TSMC تفكر في الدخول إلى مجال تصنيع رقائق الذاكرة المتقدمة، وقد بدأت في وضع خطط لإنتاج 3D DRAM استجابةً لطلب NVIDIA.
يُحسّن 3D DRAM السعة من خلال التكديس العمودي لوحدات الذاكرة، على عكس DRAM التقليدي الذي يضع وحدات الذاكرة في طبقة واحدة. حاليًا، تهيمن شركة سامسونج إلكترونيكس وSK هايكس ومييميك تكنولوجيز على تصنيع رقاقات الذاكرة، وجميعها تعمل على تطوير تقنية 3D DRAM.
تؤدي متطلبات الأجهزة الخاصة بالذكاء الاصطناعي إلى نقص في إمدادات رقائق الذاكرة وارتفاع أسعارها، حيث تسعى شركات تصميم الرقائق مثل نيفيديا وأبل إلى الحصول على مصادر إمداد إضافية. وكانت أبل قد رفعت أسعار أجهزتها في وقت سابق من هذا العام بسبب ارتفاع تكلفة الذاكرة.