SK Hynix تستكشف تطوير DRAM ثلاثي الأبعاد باستخدام عمليات التصنيع المُستقلة

تشينتشيتر: أفادت SK هايليكس في 9 من الشهر أن تطوير الذاكرة الجيل القادم 3D DRAM يمكن أن يستفيد من عمليات التصنيع المتعاقد عليها. في اليوم السابق، خلال منتدى SK هايليكس للمستقبل 2026 المُنظم في مركز سوبكس بحديقة ليتشون، قدم نائب الرئيس كيم كيونغ هون وسون هاو يونغ الاتجاهات التقنية الرئيسية لـ 3D DRAM، والتي تشمل استخدام تقنيات التصنيع المتعاقد عليها للدوائر المحيطة بالـ DRAM، وتعظيم عرض النطاق الترددي للبيانات، والنقل على مسافات قصيرة جدًا. إن 3D DRAM هي ذاكرة جيل جديد تُركب وحدات التخزين الأصلية الموزعة على سطح مستوٍ بشكل رأسي لزيادة كثافة التكامل. وأكدا أن تحقيق هذه التقنية يتطلب، بالإضافة إلى مشكلات التصميم والحرارة، حل المشكلات المتعلقة بتوصيلات دقيقة، والربط، وتكامل العمليات في مجال التパكيت. مع اقتراب الحدود بين تقنيات التصنيع الأمامي والخلفي، والتصنيع المتعاقد عليه والذاكرة، سيصبح التحسين المشترك الذي يتجاوز المجالات التقليدية أكثر أهمية. وقال سون هاو يونغ إن تقنية 3D تغير الحدود التقنية بين مصانع الألواح والتغليف، ويجب إنشاء نظام تحسين وتعاون جديد يتجاوز المجالات التقليدية بالتزامن مع الابتكارات في تقنيات التغليف المتقدمة. وصرح البروفيسور شين تشانغ هوان من جامعة كوريا، الذي نشر مقالًا بنفس الموضوع، أن 3D DRAM ليست مجرد تكديس رأسي للرقائق، بل هي تقنية تكسر الحدود بين الذاكرة والمنطق؛ مع اقتراب تفصيل الأجهزة من حدودها القصوى وزيادة الوقت والاستهلاك الطاقي الناتج عن نقل البيانات بين النظام والذاكرة، فإن الانتقال إلى تقنية 3D أمر لا مفر منه، واقترح إطارًا لتصميم تكامل 3D يربط بين المواد والأجهزة والتغليف والهندسة عبر الذكاء الاصطناعي. وفي كلمته الافتتاحية، قال الرئيس التنفيذي لـ SK هايليكس كواك رو جونغ إن سوق الذاكرة في الماضي كان كسبباق على طريق مستقيم يعتمد على من يركض أسرع، أما الآن فهو كمنحنى متغير باستمرار، حيث يصبح من المهم أيضًا فهم سرعة واتجاه التغيرات في البيئة الخارجية والتكيف معها برشاقة.