سامسونج تطور HBM4E بثماني طبقات لـ NVHBM من نفيديا

موقع Mars Finance يفيد أنه في 28 أغسطس، وفقًا لصحيفة Seoul Economic Daily، تطور سامسونغ إلكترونيكس منتج HBM4E مكون من 8 طبقات وفقًا لمتطلبات نيفيديا، مخصصًا لاستخدامه في ذاكرة NVHBM عالية النطاق الترددي المخصصة من نيفيديا. يقلل هذا الحل من عدد الطبقات المكدسة مقارنة بالمنتجات السابقة التي كانت تستعد سامسونغ لتطويرها، وهي 12 و16 طبقة، حيث حددت نيفيديا هدفًا للسرعة يتراوح بين 17 و18 جيجابت في الثانية، وهو ما يمثل زيادة بنسبة حوالي 20% مقارنة بعينات HBM4E المبكرة من سامسونغ التي كانت تبلغ 14.4 جيجابت في الثانية. إن استخدام تصميم مكون من 8 طبقات يقلل من صعوبة ترقيل الرقاقة، والتكديس الدقيق، وتعبئة ما بعد التصنيع، مما يخفف الضغط على معدلات الإنتاج ويزيد من القدرة على التوريد. من المتوقع أن يبدأ تطبيق NVHBM مع GPU Rubin Ultra المزمع إطلاقه العام المقبل. سيزيد حجم الربط بين وحدات معالجة الرسوميات في Rubin Ultra من 72 وحدة حاليًا إلى ما يصل إلى 576 وحدة، لتعويض انخفاض سعة التخزين لكل وحدة معالجة رسوميات من خلال استخدام عدد أكبر من وحدات المعالجة الرسومية عالية السرعة. تمتلك سامسونغ القدرة على التصميم والإنتاج لكل من DRAM والرقائق المنطقية والرقائق الأساسية، مما يمكنها من تقديم خدمة متكاملة للـ HBM المخصص. يرى الخبراء أن سامسونغ أظهرت بالفعل سرعات نقل عالية في HBM4، وبعد أن حولت نيفيديا تركيزها التنافسي من التكديس العالي إلى سرعة النقل، فقد تلقى قدراتها ذات الصلة مزيدًا من الاهتمام.