سامسونج تخصص أكثر من 50٪ من طاقة 4 نانومتر لرقائق قاعدة HBM4

وفقًا لأخبار Huoxing Caijing، تجاوزت نسبة وحدات الإنتاج المخصصة لرقائق القاعدة الخاصة بذاكرة HBM4 من الجيل السادس في عملية 4 نانومتر التابعة لقسم تصنيع الرقائق التابع لشركة سامسونغ إلكترونيكس 50% مؤخرًا. ووفقًا للصناعة، ستخصص الوحدة أكثر من نصف وحدات الـ4 نانومتر هذا النصف الثاني من العام لتصنيع رقائق القاعدة الخاصة بـHBM4، وذلك لمواكبة زيادة التوريد إلى نيفيديا وبرودكوم وAMD وغيرها. وقد بدأت سامسونغ في فبراير من هذا العام أول إنتاج تجاري لـHBM4، وتخطط لزيادة كميات التوريد بدءًا من الربع الثالث، مع زيادة ملحوظة في كمية وحدات الإنتاج المخصصة لهذه التقنية منذ منتصف العام. تعتمد هذه الرقاقة على تقنية تصنيع رقائق سامسونغ 4 نانومتر (SF4). وحتى الشهر الماضي، تم تخصيص أكثر من 50% من إجمالي طاقة الإنتاج الخاصة بـ4 نانومتر لرقائق القاعدة الخاصة بـHBM4. ووفقًا لمصادر مطلعة، فإن إنتاج سامسونغ لتقنية 4 نانومتر يسير حاليًا بأقصى طاقته، حيث تمثل رقائق القاعدة الخاصة بـHBM4 ما بين 50% و60%، وسيستمر هذا النسبة المرتفعة خلال النصف الثاني من العام. تنتج خطوط تصنيع رقائق سامسونغ في مصنع بيونغتيك 2 و3 تقنيات تتراوح بين 4 و7 نانومتر، حيث تبلغ طاقة الإنتاج الخاصة بـ4 نانومتر حوالي 30 ألف وحدة شهريًا، مما يعني أن كمية وحدات الإنتاج المخصصة لرقائق القاعدة الخاصة بـHBM4 تقدر بحوالي 15 ألف وحدة شهريًا. وفي اجتماعها للإفصاح عن النتائج المالية للربع الثاني، أعلنت سامسونغ أنها تتوقع أن يزيد إيراد HBM4 بنسبة أكثر من ثلاثة أضعاف مقارنة بالربع السابق في الربع الثالث، وأن يتجاوز إيراد HBM4 في النصف الثاني من العام 60% من إجمالي إيرادات HBM للشركة.