سامسونج تخصص أكثر من 50٪ من طاقة 4 نانومتر لإنتاج رقاقة أساس HBM4

تشير رسائل ChainCatcher إلى أن قسم تصنيع الرقائق التابع لشركة سامسونغ إلكترونيكس قد تجاوز مؤخرًا نسبة 50% في تخصيص إنتاج رقائق 4 نانومتر لرقائق القاعدة الخاصة بذاكرة HBM4 من الجيل السادس. ووفقًا للصناعة، ستخصص هذه الوحدة أكثر من نصف رقائق 4 نانومتر في النصف الثاني من العام لتصنيع رقائق القاعدة الخاصة بـ HBM4، وذلك لتلبية الطلب المتزايد من شركات مثل نيفيديا وبرودكوم وAMD. وقد بدأت سامسونغ في فبراير من هذا العام أول إنتاج تجاري لـ HBM4، وتخطط لزيادة كميات التوريد بدءًا من الربع الثالث، مع زيادة ملحوظة في تخصيص رقائق 4 نانومتر منذ منتصف العام. تعتمد هذه الرقاقة على تقنية تصنيع سامسونغ للرقائق 4 نانومتر (SF4). وحتى الشهر الماضي، تم تخصيص أكثر من 50% من إجمالي طاقة الإنتاج الخاصة برقائق 4 نانومتر لرقائق القاعدة الخاصة بـ HBM4. ووفقًا لمصادر مطلعة، فإن إنتاج سامسونغ لرقائق 4 نانومتر يسير حاليًا بأقصى طاقته، حيث تمثل رقائق القاعدة الخاصة بـ HBM4 ما بين 50% و60%، وسيستمر هذا النسبة المرتفعة في النصف الثاني من العام. تنتج خطوط تصنيع سامسونغ للرقائق في مصنع بيونغتيك 2 و3 رقائق بمقاييس 4 إلى 7 نانومتر، حيث تبلغ طاقة إنتاج 4 نانومتر حوالي 30 ألف رقاقة شهريًا، مما يعني أن كمية الرقائق المخصصة لرقائق القاعدة الخاصة بـ HBM4 تقدر بحوالي 15 ألف رقاقة شهريًا. وقد أعلنت سامسونغ في اجتماعها للإفصاح عن نتائج الربع الثاني أن إيرادات HBM4 من المتوقع أن تزيد أكثر من ثلاثة أضعاف مقارنة بالربع السابق في الربع الثالث، وأن إيرادات HBM4 في النصف الثاني من العام ستتجاوز 60% من إجمالي إيرادات HBM للشركة.