تم حجز سعة DRAM و HBM لعام 2027 بالكامل، ويدفع الطلب على الذكاء الاصطناعي تخصيص 70%

تشير أخبار Huoxing Caijing، وفقًا لتقرير DIGITIMES، إلى أن ثلاثة مصنعين رئيسيين للذاكرة قد أكملوا مسبقًا مفاوضات توزيع طاقتهم الإنتاجية لعام 2027 بأكمله، حيث تم بيع جميع قدرات DRAM وHBM. من ناحية NAND Flash، على الرغم من أن الوضع ليس متوترًا مثل DRAM، إلا أنه من المتوقع أن يتم حجز جميع القدرات الإنتاجية بحلول نهاية أغسطس 2026. وقد أكّد تشين ليباي، رئيس مجلس إدارة Apacer، أن التطبيقات المرتبطة بـ HBM وخوادم الذكاء الاصطناعي ستستهلك ما يقرب من 70% من طاقة إنتاج DRAM، مما سيجعل العرض المخصص لأجهزة الكمبيوتر الشخصية والهواتف المحمولة محدودًا نسبيًا. تشير التقييمات الصناعية إلى أن طاقة إنتاج NAND لعام 2027 لشركة سامسونج وميكرون وسانديسك قد تم حجزها بالكامل مسبقًا، ومن المتوقع أن تؤكد كايتشا وSK هايتسيل ذلك بحلول نهاية أغسطس. وقد ذكر تشوي تاي وون، رئيس مجموعة SK، سابقًا أن طلب أشباه الموصلات للذكاء الاصطناعي في عام 2027 من المرجح أن يزداد بنسبة 60-100% مقارنة بعام 2026، مع توقع زيادة في الطلب على التخزين تتراوح بين 50-60%، مما قد يؤدي إلى توسع مستمر في فجوة العرض والطلب، وقد يواجه نقصًا "الأكثر حدة في التاريخ". ويشير الخبراء الصناعيون إلى أن نمط توزيع الطاقة الإنتاجية أكثر انتظامًا مقارنة بعام 2026، لكن الكميات التي يمكن للمصنعين توفيرها عادةً لا تتجاوز 60-70% من طلبات العملاء، مما يترك بعض المشترين الصغار والمتوسطين في موقف لا يمكنهم فيه شراء أي منتج. من المحتمل أن تتباطأ وتيرة ارتفاع أسعار ذاكرة التخزين في عام 2027، لكنها قد تظل مرتفعة باستمرار كوضع طبيعي.