韓國六月記憶體半導體出口預計將創下新高

火星財經訊，6 月 22 日，Critini Research 分析師 Jukan 在社交媒體上引用韓國 IT 科技媒體《電子新聞》內容稱，韓國 6 月存儲半導體出口有望創歷史新高。 報導稱，6 月存儲半導體出口延續強勁勢頭，AI 需求與供應短缺推動出口額與單價同步飆升。HBM 短缺的溢出效應蔓延至通用 DRAM、NAND 和 SSD，出口有望超越 5 月創下的 371.6 億美元歷史紀錄。 據韓國關稅廳 6 月 22 日數據，6 月 1 日至 20 日主要存儲產品出口額已超 230 億美元，達到 5 月全月的 60% 以上。考慮到近期各品類增長勢頭，6 月總出口預計達 380 億至 420 億美元區間，再創新高。月末出貨集中通常進一步推高出口量。 6 月所有存儲品類均呈現出口額與單價同步大漲，反映 AI 存儲超級週期的結構性擴張。其中 HBM（多晶片封裝）出口額環比猛增 51%，英偉達等大廠持續投資 AI 數據中心，SK 海力士主導的 HBM3E 和 HBM4 供應持續緊張。 晶圓產能向 HBM 集中導致通用 DRAM 供應減少，其單價已漲至去年同期 2 至 3 倍，加之 PC 和手機需求回暖，出口額大幅上升。AI 推理伺服器建設擴大推動 NAND 和 SSD 需求爆發，兩大品類環比分別增長 25% 至 28%。 存儲半導體在整體半導體出口中佔比從 70% 升至 90%，本月存儲與系統半導體合計出口達 255 億美元，6 月半導體總出口預計落在 420 億至 460 億美元區間。 隨著業績強勁，券商家上調存儲企業盈利預測。韓華投資證券研究員分析稱，韓國存儲行業正依靠長期供應協議和 HBM 兩大武器克服短板，未來即使行業下行，營業利潤也不會像過去那樣嚴重下滑。