Nvidia 財務長表示，由於 SK Hynix 預計 HBM 平衡將延至 2030 年，記憶體價格將進一步上漲

Nvidia 財務長表示，由於 SK Hynix 預計 HBM 平衡將延至 2030 年，記憶體價格將進一步上漲

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Nvidia 警告因 AI 需求超過供應，記憶體短缺狀況將持續

Nvidia 的首席財務官發出明確信號，指出推動人工智慧熱潮的記憶體短缺狀況近期無緩解跡象。在 2026 年 8 月 26 日的財政第二季度收益電話會議上，Colette Kress 評論「記憶體的極端定價狀況」，指出價格上漲已超過先前預期，並將持續上升至明年。此番言論出現在主要高頻寬記憶體供應商 SK Hynix 預測整個記憶體市場最早也要到 2030 年才能達到供需平衡之際。
 
這些發展凸顯了一種結構性轉變：AI 基礎設施的建設既推動了需求，又限制了滿足該需求所需的關鍵元件。Nvidia 已將其供應承諾增加一倍以上，達到 2790 億美元，並預計第四季度的毛利將在 71-72% 的範圍內觸底，然後在 2028 財年小幅回升。持續的價格壓力與多年期的產能限制，正在重塑半導體行業的成本結構，迫使超大規模雲端服務商、晶片設計公司和記憶體製造商重新調整其長期規劃，以應對長期供應短缺的狀況。
 
事實上，AI 驅動的高頻寬記憶體及相關 DRAM 產品需求已超越產業擴產時間表，導致本年度剩餘時間內價格維持高位且供應緊張。這種失衡並非臨時的週期性波動，而是當前技術週期的結構性特徵，直接影響 Nvidia 的盈利能力、SK Hynix 的投資策略，以及 AI 資料中心建設的整體經濟狀況。

極端定價條件迫使 Nvidia 調整保證金預期

Colette Kress 在 8 月 26 日的收益討論中明確表示，記憶體成本已超出公司先前的預測模型。「我們正經歷記憶體的極端定價狀況，價格上漲的幅度已超過我們先前的預期，並有望在明年進一步上漲，」她根據電話會議記錄表示。這一影響已反映在 NVIDIA 的指引中：非 GAAP 毛利率預計在第三季達到約 74％，隨後在第四季降至 71 至 72％。管理層預計，一旦先前宣布的產品價格上漲開始反映在財務結果中，毛利率將於 2028 財年恢復至 72-73％的區間。這一趨勢代表著有意的調整，而非意外衝擊。
 
Nvidia 自身積極的預購行為加剧了供應緊張，其已披露的供應商採購承諾從上一季的 1190 億美元上升至 2790 億美元。其中，約 920 億美元將於 2027 財年剩餘時間內支付，隨後兩年亦有大量支出。公司將保證金壓縮視為為確保支持其增長目標所需的記憶體量而承擔的臨時成本，並指出供應短缺本身正是推動其可服務市場擴張的相同 AI 需求激增的體現。在近期吸收較高元件成本，同時計劃未來將部分通脹轉嫁給客戶的決策，反映了 Nvidia 對體量和市場地位的優先考量，而非短期盈利指標。Kress 強調，記憶體供應更趨緊張並非沒有對沖效益的外部壓力；相反，它與持續創造紀錄性資料中心收入的 AI 工廠建設密切相關。
 
在第二季度，資料中心收入達到新高，公司預計財政年度2028年的年收入增長約70％，主要受限於供應能力而非基本面需求。根據黃仁勳的說法，此需求仍接近100％的增長潛力，而70％的數字反映的是Nvidia基於當前元件供應情況所能出貨的量。因此，記憶體瓶頸既是對利潤率的壓力，也證實了AI基礎設施週期的持久性。行業觀察人士指出，Nvidia與三大記憶體供應商SK Hynix、三星和美光長期以來的關係，使其能夠獲得優先配額，但即使這些關係也無法消除推動全行業價格上漲的根本性產能限制。

AI 基礎設施擴張持續吸收可用的 HBM 輸出

當前記憶體短缺的主要原因是 AI 加速器快速擴張，其單位所需的高頻寬記憶體遠超以往世代。例如，Nvidia 的 Vera Rubin 平台比早期架構包含顯著更高的 HBM 內容，每個 GPU 封裝均需多個先進堆疊。這一轉變已將越來越多的 DRAM 晶圓產能轉向 HBM 生產，從而減少可供市場其他部分的傳統伺服器和消費型 DRAM 供應量。TrendForce 數據顯示，2026 年第一季 DRAM 合約價格季環比上漲 90 至 95%，第二季再上漲 58 至 63%，反映產能重新配置與超大規模採購的強勁需求。
 
2026 年的 HBM 容量被廣泛報導已售罄，長期協議已鎖定關鍵客戶未來數年的用量。結果形成一個反饋迴圈：AI 需求推高記憶體價格，進而增加 AI 伺服器的物料成本，促使下游進一步調整價格。SK Hynix 已將約 30% 的 DRAM 容量專注於 2026 年的 HBM，分析師預期該比例到 2027 年將接近 40%。從 12 層 HBM3E 堆疊轉向 16 層 HBM4 配置，加劇了容量替代效應，因為每個先進模組所消耗的矽晶相較於其取代的傳統 DRAM 更多。
 
雲端供應商和企業買家正透過簽訂多年供應協議來應對，進一步緊縮現貨市場，並強化價格上漲壓力。Nvidia 本身已將此短缺歸因於 AI 建設，此說法與 SK Hynix 管理層的評論一致，即客戶需求即使在多年時間範圍內仍持續超過生產能力。實際後果是，記憶體已成為 AI 系統部署速率的瓶頸，限制了新資料中心容量上線的速度，並推高了 AI 基礎設施的整體成本。

SK Hynix 預計市場平衡不會早於 2030 年

SK Hynix 一直表明，目前的供需失衡將持續數年。首席執行官郭南正表示，2027 年預計將是該行業歷史上最困難的供應年份，且客戶需求預計在 2030 年後仍將高於可用產能。董事長崔泰元也在行業活動中強化了這一觀點，指出包括 HBM 在內的記憶體短缺情況可能持續至本十年末。這些預測基於增加有意義的新晶圓產能所需的漫長前置時間。
 
從現有場地建設新的製造設施通常至少需要三年，而綠地項目從破土動工到批量生產則可能耗時五年以上。即使加速投資進度，目前擴張計劃的大部分新增產能也將直到 2020 年代後期才會進入市場。公司公開聲明強調，需求的性質已發生變化。AI 記憶體日益趨向與客戶共同定制和開發，雖然提升了需求的可見性，但也使訂單集中於較少數的大型買家。
 
此舉降低了過去記憶體產業低迷時期常見的劇烈興衰週期的可能性，但同時也意味著產能擴充必須精準安排，以避免長期供應不足或最終供過於求。SK Hynix 的管理層指出，未來任何下行趨勢更可能表現為成長放緩，而非需求急劇下滑，這反映了與 AI 相關消費的結構性特質。在此期間，公司優先考慮能提供更大收益穩定性並支持更有效資本配置的長期協議。總體而言，這將導致一段多年期的時段，其中定價權牢牢掌握在供應商手中，買家必須根據有限的供應進行規劃。

重大容量投資旨在於 2030 年代初縮小差距

為應對持續的短缺，SK Hynix 董事會已批准至 2031 年投資約 383 億美元，以擴大韓國國內的兩個生產基地。其中，35.2 萬億韓元將用於龍仁晶圓廠第二期，專注於包括 HBM 在內的先進 DRAM 生產；19.1 萬億韓元則撥給清州 M17 設施，用於 NAND 生產。建設時間表顯示，這些場地的首批無塵室將於 2028 年和 2029 年啟用，全部投資將分階段延續至 2031 年。這些項目是更廣泛策略的一部分，包括加速龍仁半導體集群的整體時間表，目標由原本的 2045 年提前至 2033 年完成四座晶圓廠。
 
承諾的規模反映了管理層對 AI 驅動的記憶體需求在可預見的未來將保持高位的評估。SK Hynix 已在印第安納州破土動工其首個美國生產設施，計劃於 2029 年第三季開始量產下一代 HBM4E 芯片。該設施旨在將產能更靠近主要的北美客戶，並分散地理風險。即使有這些擴張，公司高層仍持續警示，新產能需要數年時間才能實現，且需求增長預計將在本十年結束前與新增供應保持同步或超越供應。因此，此投資計劃是對當前失衡的必要但非即時充分的回應，導致近中期價格與供應仍面臨壓力。

HBM 市場份額集中於三大主要供應商

根據近期行業估計，SK Hynix 目前佔據高頻寬記憶體市場約 50％ 的份額，領先於三星的約 33％ 和美光的 18％。這種集中度使領先供應商能夠攫取人工智慧記憶體週期所創造價值的不成比例份額。三家公司在 2026 年中已公開確認，正為 Nvidia 的 Vera Rubin 平台出貨 HBM4。隨著每家公司提升先進節點生產並與超大規模雲端服務商和加速器供應商簽訂長期供應協議，競爭態勢正在演變。Nvidia 2790 億美元的採購承諾預計將主要流向 SK Hynix 和美光，強化它們的市場地位，同時仍使三星成為重要的替代來源。
 
市場份額結構對定價紀律和產能配置具有重要影響。由於大多數先進 HBM 產出已簽訂合約，剩餘的即期市場仍顯薄弱，且對增量需求極為敏感。供應商正將晶圓開工量重新配置至更高毛利的 HBM 產品，這對傳統 DRAM 和 NAND 的定價產生了連鎖效應。行業數據顯示，此種重新配置已促進了整個記憶體產品組合連續多個季度的價格上漲。對於未參與主要長期協議的買家而言，確保供貨量通常需要接受更高的價格或更長的交貨週期。供應集中於三家企業，也意味著任何一家供應商的生產中斷或良率不足，都可能迅速在生態系統中放大供應緊張狀況。

Nvidia 的供應承諾顯示其對記憶體存取的戰略優先考量

英偉達在單一季內將已披露的供應商承諾從 1190 億美元提升至 2790 億美元，這代表半導體產業歷來最大的前瞻性採購信號之一。此增長被廣泛解讀為為了在價格進一步上漲前鎖定記憶體用量，並降低對即期市場的依賴。總金額中約三分之一將於 2027 財年剩餘時間交付，其餘則分佈於接下來兩年。此等承諾水平實質上將部分未來需求轉為合約義務，為供應商提供更明確的收入可見度，同時讓英偉達優先取得稀缺產能。
 
該策略具有明確的取捨。更高的元件成本是英偉達預期本財年將出現低於70%的短期毛利率下滑的主要原因。管理層表示，將在本財年結束前吸收大部分通脹壓力，並於2028財年開始實施價格上調，以逐步恢復毛利率。此策略優先考慮出貨量和客戶關係，而非短期毛利擴張。同時，這也對其他可能缺乏同等採購規模的AI晶片設計商和系統製造商施加了競爭壓力。實際上，英偉達正利用其資產負債表實力和市場地位，確保獲得更大份額的記憶體供應，從而支持其在供應受限的情況下，實現2028財年70%的營收增長目標。

傳統 DRAM 和消費品市場感受到產能重新配置的間接影響

隨著記憶體製造商將晶圓產能轉向 HBM，傳統伺服器 DRAM 和消費型 DRAM 產品的價格大幅上漲，供應也更加緊張。TrendForce 報告指出，2026 年第二季度，整體 DRAM 合約價格季環比上漲 59.5%，其中伺服器 DRAM 表現最為強勁。過去一年，DDR5 和 DDR4 模組的即期價格同樣大幅上漲，部分類別的年同比漲幅達數百百分比。這種替代效應是機械性的：每片轉為 HBM 生產的晶圓，都會從市場上移除更大數量的傳統位元，因為先進的 HBM 堆疊每個完成的模組需要更多的矽材料。
 
消費電子產品和 PC 原始設備製造商已通過提高零售價格、調整產品配置，以及在某些情況下減少每套系統的 DRAM 內容來做出回應。筆記型電腦和智慧型手機的出貨量對較高的元件成本表現出敏感性，導致這些領域的採購更加謹慎。企業固態硬碟的價格也因 NAND 容量同時受到 AI 相關需求的壓力而上漲。結果是，記憶體各類別普遍出現通貨膨脹環境，其影響遠超 AI 加速器市場。對於系統組裝商而言，較高的記憶體成本已轉化為伺服器物料清單成本上升，部分預計於 2027 年初出貨的 AI 優化系統的報價上漲了 15% 或更多。

未來供應協議正成為主導的合約模式

由於供應商和買家都追求更高的可預測性，多年期長期協議的普及率已急劇上升。SK Hynix 指出，其 HBM 產量的很大一部分已由此類合約保障，行業估計顯示，目前總記憶體容量的 50% 或以上已處於類似安排之下，所佔比例可能進一步上升至 70%。這些協議通常優先確保出貨量確定性，而非單純追求價格最優化，反映出對許多大型買家而言，確保供應已比降低單位成本更為重要。對供應商而言，這些合約提升了需求的能見度，並有助於更嚴謹的資本支出規劃。
 
向長期合約的轉變降低了歷史上記憶體產業所具有的波幅，但也使可用容量集中在較少的交易對手手中。缺乏同等規模或既定關係的買家面臨更高的價格和更大的不確定性。該模式還將當前的高價格水平嵌入未來時期，意味著即使新容量陸續投入，定價的合約底線也可能在數年內保持高位。監測該行業的分析師預期此結構至少將持續至 2028 年，若需求增長持續超過供應增加，還有進一步延長的可能。

美光即將公布的財報將進一步揭示定價趨勢

美光科技預計於 2026 年 9 月 30 日公布其財政第四季度業績，從第三大供應商的視角提供有關記憶體定價環境的及時更新。美光已持續提升 HBM 生產並簽署自身的戰略客戶協議，其關於定價、產能利用率和需求前景的評論將受到密切關注，以驗證 NVIDIA 和 SK 海力士所描述的趨勢。過往季度顯示，美光已成功捕捉到 AI 記憶體增長的相當份額，隨著 HBM 和伺服器 DRAM 組合比例上升，收入和保證金均有所擴張。9 月的報告預計將探討近期價格上漲的可持續性以及新增產能的時間表。
 
投資者和行業參與者將特別關注有關 HBM 定價及至 2027 年傳統 DRAM 趨勢的任何前瞻性指引。鑑於英偉達、SK 海力士和三星關於多年供應緊張的言論一致，美光的業績更可能強化現有敘述，而非提出顯著不同的展望。然而，該報告將提供關於位元出貨量、平均售價以及先進記憶體產品對整體盈利能力貢獻的詳細數據，為更廣泛的市場動態提供有用的交叉驗證。

電力、水資源和基礎設施限制加劇了容量挑戰

除了純粹的晶圓產能外，記憶體製造商還面臨電力供應、水資源和先進封裝基礎設施等額外瓶頸。SK Hynix 的管理層曾指出，這些因素是其優先考慮國內擴張而非快速建設海外晶圓廠的原因。新建設施不僅需要資本，還需要穩定獲得高容量 HBM 生產所需的公用設施和專用設備。先進封裝產能，特別是 HBM 所使用的複雜堆疊工藝，同樣受到嚴格限制，進一步限制了成品模組的交付速度。
 
這些次要限制意味著，即使有龐大的資本投入，也不會線性轉化為短期產出。新建晶圓廠的三至五年時間表已包含建設和設備安裝；額外的延誤可能來自公用設施基礎設施或封裝良率問題。行業預測認為，只有在 2020 年代後期才會出現顯著的供應緩解，這已假設當前擴張計劃能成功執行。任何滑點都將延長高價和供應有限的時期，強化了英偉達和 SK 海力士對市場平衡時間表所採取的謹慎立場。

預計供應商將至少在 2028 年前保持定價權

多個獨立預測均一致認為，記憶體價格將在 2028 年前保持高位，供應也將持續緊張。Jefferies 預測 2026 年下半年將持續季對季增長，並在 2027 年進一步實現年對年增長，而在新產能開始大量貢獻之前，難以出現顯著緩解。Counterpoint Research 及其他分析師同樣指出，價格在 2028 年底前不太可能大幅回落。Nvidia 自身的指引也與這些外部評估一致，認為供應至少在 2028 財政年度結束前仍將是瓶頸。
 
售罄的 HBM 产能、長期協議覆蓋率上升以及供應增量增長緩慢，支撐了供應商持續擁有定價權的預期。對於 Nvidia 來說，這種環境意味著更高的投入成本，需通過吸收與最終轉嫁相結合的方式進行管理。對於記憶體製造商而言，這支持了更高的利潤率，並證明了目前進行的大規模資本計劃的合理性。對更廣泛科技產業的實際影響是，AI 基礎設施成本在未來數年內將包含更高比例的記憶體成本，從而影響總擁有成本計算與資料中心部署的進度。

展望未來：產能擴充將逐步緩解但不會完全消除限制

即使有 383 億美元的擴張計劃以及三星和美光的平行投資，業界參與者普遍認為，供應將在 2030 年代初期仍落後於需求。2028 年和 2029 年開通的新無塵室將開始增加額外產能，但 AI 部署的同步增長預計將吸收大部分此類產能。英偉達預測供應將在 2028 財年之前持續成為瓶頸，而 SK 海力士則預測失衡狀況將持續至 2030 年之後，兩者共同定義了未來數年價格高企與供應受限的前景。
 
市場參與者正透過鎖定長期合約、盡可能重新設計以提升記憶體效率的系統，並接受更高的物料清單成本，作為參與人工智慧基礎設施週期的代價。未來的期限將考驗產業在供應受限市場中，執行複雜產能擴張並管理定價與配給挑戰的能力。目前，英偉達財務長與 SK 海力士領導層的訊號顯示，記憶體將持續處於一個長期階段，既是人工智慧進展的關鍵推動者，也是限制其進展速度的瓶頸。

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常見問題

Nvidia 財務長 Colette Kress 在 2026 年 8 月的財報電話會議中對記憶體定價發表了哪些具體評論？

在2026年8月26日的財政第二季度電話會議中，Colette Kress 表示，Nvidia 正經歷記憶體的極端定價狀況，價格上漲的幅度已超過公司先前的預期。她補充說，價格在來年還將進一步上漲。
 

為什麼 SK Hynix 預期記憶體市場要到 2030 年才能達到供需平衡？

SK Hynix 的管理層指出，AI 相關需求急增，加上新建和擴充晶圓廠產能需耗費多年時間。首席執行官郭樂 Jung 表示，2027 年將是供應方面最緊張的一年，且客戶需求預計將在 2030 年之後仍超過生產能力。
 

SK Hynix 計劃到 2031 年在韓國生產設施上的投資規模有多大？

公司董事會已批准至2031年約383億美元的投資，其中35.2萬億韓元撥予龍仁複合體第二期，用於先進DRAM和HBM生產，19.1萬億韓元撥予清州M17設施用於NAND。建設時間表目標為2028年和2029年完成首批無塵室，投資將分階段持續至2031年。這些項目是龍仁半導體集群加速發展的一部分，現預計於2033年實現重大完工。
 

在記憶體成本上升的情況下，Nvidia 對毛利的當前指引是什麼？

Nvidia 預期 2027 財政年度第三季的非 GAAP 毛利率將約為 74％，隨後在第四季降至 71-72％ 的低點。一旦此前實施的產品價格上調開始反映在財務結果中，毛利率預計將在 2028 財政年度穩定在 72-73％ 的區間。公司將此暫時性壓縮主要歸因於記憶體價格上漲，並將此低點描述為有管理的結果，而非失控的惡化。
 

根據行業數據，2026 年 DRAM 合約價格有何變化？

TrendForce 及相關報告指出，2026 年第一季 DRAM 合約價格季環比上漲 90-95%，第二季再上漲 58-63%。第二季整體 DRAM 合約價格季環比上漲 59.5%，其中伺服器 DRAM 為表現最強勁的類別。
 
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