2026 年 AI 記憶體危機：為何 DRAM 和 NAND 價格仍在上漲

2026/08/05 11:29:00

AI 需求重塑記憶體市場，隨著 DRAM 和 NAND 供應趨緊

AI 基礎設施的快速發展已徹底改變了全球記憶體市場生態。高頻寬記憶體（HBM）、傳統 DRAM 與 NAND 閃存，正因超大規模運營商和加速器製造商搶佔大部分產能而持續承壓。2026 年中期的行業數據顯示，即使在先前價格跳升之後，合約價格仍在上漲，而消費品與企業設備製造商則面臨配額短缺與成本上升的困境。原本專注於智慧型手機、個人電腦和通用伺服器的生產能力，現已轉向利潤更高的 AI 應用，導致傳統市場供應不足並面臨挑戰。

2026 年預期的記憶體短缺，源於製造能力的結構性重分配，以適應人工智慧工作負載，並結合近期晶圓擴產有限。需求持續超過供應，使 DRAM 和 NAND 價格在 2020 年代後期仍維持高位，為製造商和消費者帶來挑戰性的環境。此種對人工智慧的關注轉移，對記憶體市場產生深遠影響，因為企業優先投資於支援人工智慧的技術。結果，依賴 DRAM 和 NAND 閃存的傳統產業，被迫在稀缺與成本上升的環境中應對。記憶體市場的持續演變，反映了科技與消費者需求的更廣泛趨勢，顯示出針對這些變化進行戰略規劃與適應的必要性。

HBM 容量捕獲使傳統 DRAM 供應受限

高頻寬記憶體已成為先進 DRAM 晶圓的主要消耗者。SK Hynix、三星和美光已將其先進製程產能的大量部分轉向 AI 加速器所需的堆疊式 HBM 產品。行業追蹤數據顯示，包括 HBM 和伺服器 DRAM 在內的 AI 相關需求，目前已佔主要供應商可用 DRAM 產能的近 70%。此轉變優先滿足超大規模雲端服務商和 GPU 廠商，他們下達多年訂單並接受高價格。因此，智慧型手機和 PC 廠商報告僅收到所要求體積的 60% 至 70%，預計 2027 年將進一步緊縮。晶圓開工的物理現實意味著每片轉為 HBM 的晶圓都會減少標準 DDR5 或 LPDDR 模組的產出。2026 年初 Counterpoint Research 的數據顯示，DRAM 價格已較 2025 年底上漲 80% 至 90%，反映此種失衡狀況。為實現更高層級的 HBM 堆疊所需的新型節點和封裝線，進一步限制了傳統生產，因為在短期內設備和無塵室空間是有限的。

三家主要供應商已為其2026年和2027年的大部分產能完成提前分配，優先鎖定AI客戶。此重新分配並非臨時性措施。根據行業分析，從破土動工到實現有意義的產量，額外建設晶圓產能需耗時三至五年。美光的新加坡與台灣項目、三星的平澤擴張計劃，以及SK海力士的清州與印第安納設施，均計劃於2027年至2030年間逐步提升產能。在這些產線大規模貢獻之前，可供非AI用途的DRAM份額仍十分有限。伺服器DRAM合約價格持續上漲，儘管漲幅有所放緩，因為與雲端供應商的長期協議吸收了絕大多數新增供應。因此，設備製造商面臨單價成本上升與產量承諾不確定性的雙重壓力。結果是，依賴傳統DRAM配置的筆記型電腦、智慧型手機和主流伺服器的系統價格面臨上漲壓力。

TrendForce 數據顯示，2026 年第三季價格漲幅放緩但持續存在

TrendForce 2026 年 7 月的定價調查預測，常規 DRAM 合約價格在第三季度將季環比上漲 13% 至 18%。NAND 閃存合約在同一時期預計將上漲 10% 至 15%。這些漲幅繼承了今年早些時候更顯著的增長：第一季度 DRAM 合約較上一季度上漲約 90% 至 95%，而第二季度的預測則指向進一步上漲 58% 至 63%。第三季度增速放緩，反映了較高的比較基數以及終端市場買家達到可負擔極限後需求放軟。然而，AI 伺服器需求仍持續支撐整體上漲趨勢。ADATA 等模組製造商指出，在某些渠道中，協商漲幅甚至更為陡峭，有報告顯示部分客戶的 DRAM 價格上漲 20% 至 30%，NAND 價格上漲 35% 至 40%。

審查並未傳遞出放鬆的訊號。供應商庫存仍處於低位，標準 DRAM 和 NAND 的生產增長預計低於歷史平均水平。IDC 預估 2026 年 DRAM 供應量年增長率約為 16%，NAND 為 17%，兩者均受到向 HBM 和高容量伺服器產品轉移產能的限制。過去一年，DDR5 芯片的即期市場價格已出現數倍增長，部分 16-gigabit 型號在 2025 年底至 2026 年初上漲近 300%。消費者套件價格亦隨之上漲，過去售價接近 $100 的 32-gigabyte DDR5 組裝產品，如今在許多市場的售價已遠高於 $300。這些數據說明了合約價格上漲如何轉化為電子供應鏈中系統成本的全面上升。

SK Hynix 領導層預測短缺情況將持續至 2027 年及以後

在2026年7月10日的一次採訪中，SK Hynix首席執行官郭諾正表示，該行業將在2027年面臨有史以來最嚴重的供應短缺。他補充說，儘管公司持續擴產，客戶需求預計在2030年後仍將超過公司的生產能力。這些評論出現在SK Hynix於納斯達克開始交易之際，並緊隨其因HBM領導地位而帶來的強勁利潤表現。Nvidia的首席執行官也同樣指出，AI記憶體短缺將持續數年，而SK Hynix仍為主要供應商。同期引用的UBS分析預測，全球DRAM市場至少到2028年第二季度前都將供不應求。

這些評估與新產能的長前置時間相符。SK Hynix 正在美國投資封裝與製造，並擴大國內設施，但顯著增加的晶圓開工量要數年後才會到來。超大規模客戶的資本支出持續處於高位，預計到 2027 年 AI 相關支出將達數千億美元。由於 AI 伺服器每系統所需的記憶體含量遠高於傳統伺服器或客戶裝置，每個新資料中心的部署都會吸收不成比例的可用位元。鎖定的 AI 配額與延遲的產能增加相結合，使傳統市場在結構上供不應求。

消費電子設備製造商面臨配額短缺與成本轉嫁

智慧型手機與個人電腦製造商因記憶體供應有限，正在調整產品規格與定價。IDC 分析指出，DRAM 和 NAND 成本上漲將威脅 2026 年裝置的定價與出貨量。部分品牌已降低入門級型號的記憶體容量，或延遲產品更新。其他品牌則在探索替代供應商，包括針對預算型市場的長鑫存儲技術等中國廠商。Framework Laptop 在 2026 年初的更新中警告客戶，全年 RAM 和 SSD 價格將持續波動，即使部分月度數據顯示出現短暫盤整。

成本轉嫁已明顯體現。隨著記憶體在物料清單中所佔比例上升，筆記型電腦和桌上型系統的價格已上漲。遊戲和愛好者社群報告指出，自2025年年中以來，DDR5套件價格已上漲數倍。曾被視為低成本替代方案的DDR4也出現上漲，儘管幅度較小。這些漲價減緩了升級週期，並削弱了需求彈性。製造商無法在不影響性能的情況下，輕易將記憶體容量降低至用戶預期以下，因此較高的元件成本最終轉嫁至零售價格。整體效果是，儘管AI基礎設施支出加速，消費電子產品的單位出貨量增長卻趨緩。

NAND 儲存面臨企業級 SSD 需求的並行壓力

NAND 閘閃存經歷了類似的動態。用於 AI 訓練和推理叢集的企業固態硬碟需要高容量、高耐久性的模組。供應商已優先生產這些高利潤產品，導致客戶端和主流固態硬碟元件的供應緊縮。TrendForce 的數據顯示，2026 年各季度的 NAND 合約價格持續上漲，第三季度預計將在之前較大漲幅之後再實現 10 至 15% 的環比增長。部分渠道報告指出，某些密度的產品協商漲幅甚至更高。

這種轉變反映了 DRAM 的故事。用於企業級先進 3D NAND 層的晶圓產能和晶圓廠資源減少，導致可供消費者 SSD 和嵌入式存儲使用的產出下降。因此，設備製造商面臨更高的價格和配額限制。客戶系統的 SSD 價格與 DRAM 一同上漲，推高了整體系統成本。與超大規模雲端服務商的長期供應協議進一步限制了開放市場的剩餘供應量。在本十年後期新 NAND 產能上線之前，高價環境預計將持續。

新的 Fab 時程將延長放鬆至 2020 年代後期

主要記憶體製造商已宣布大規模資本計畫，但從破土動工到達成合格生產的實體時間仍需數年。美光科技在紐約的超級工廠預計於 2030 年實現全面生產，其在新加坡和台灣的項目則目標於 2027 年產出。三星的下一座主要韓國設施計劃於 2028 年啟用。SK 海力士在國內及美國的封裝與晶圓廠投資亦遵循類似時間表。業界專家指出，即使設施啟用後，良率提升與製程認證仍需額外數月，才會對市場供需平衡產生影響。

這種滯後意味著 2026 年和 2027 年將持續供應緊張。歷史上的週期性記憶通常在需求高峰後出現過剩產能，但當前由 AI 驅動的週期不同，因為需求增長既龐大又持續。TechInsights 及其他分析師將此情況描述為結構性短缺，而非純粹的週期性短缺。假設 AI 基礎設施投資未出現急劇放緩，預計要到 2027 年底或更晚才會出現顯著的價格下跌。因此，尋求穩定供應量的買家正以較高價格鎖定多年合約，而非等待即期市場的緩解。

伺服器與超大規模分配鎖定期權費價格

雲端供應商與人工智慧公司已透過預購和戰略合作獲得優先訪問權。這些安排通常包含體積承諾和對供應商有利的定價條款，同時確保買方的供應。剩餘容量提供給二級市場時，其即期價格和短期合約價格更高。結果是形成了一個雙層市場，人工智慧客戶所經歷的波幅低於裝置原始設備製造商。

美國銀行及其他機構持續預期超大規模雲端服務商的資本支出將強勁，支持人工智慧記憶體需求將持續強勁的觀點。美光已提高其在美國的投資計劃，並指出人工智慧需求持續存在。這些前瞻性承諾強化了資源配置的優先順序，並限制了供應商在消費者需求放緩時將晶圓轉向傳統產品的靈活性。因此，人工智慧供應合約的鎖定特性直接促成了整個記憶體市場價格的持續高企。

零售與現貨市場在十二個月內呈現數倍增長

DRAM 模組的即期和零售價格出現劇烈波動。Tom’s Hardware 及其他媒體的追蹤顯示，某些 DDR5 套裝在 2025 年底至 2026 年中期間價格上漲了三至四倍或更多。一組 32GB DDR5-6000 的配置，先前售價約為 $90，後來在部分商品列表中高於 $500。單顆 16Gb DDR5 記憶體晶片的即期價格在單一數月期間上漲了近 300%。DDR4 也有所上漲，但基準較低。

這些零售數據雖落後於合約走勢，但卻放大了對終端用戶和系統整合商的影響。由於缺乏大型原始設備製造商的規模槓桿，愛好者和小型製造商面臨最顯著的價格上漲。模組製造商和分銷商持有的庫存已大幅減少，削弱了過去用以平滑短期波動的緩衝空間。庫存偏低、合約價格高企以及強勁的 AI 需求共同作用，即使逐季合約漲幅放緩，零售市場仍維持高位。

產業容量限制導致供應無法快速響應

記憶體製造商在經歷過往的景氣循環後，對大規模擴產仍保持謹慎態度。在2022–2023年下行期間，為穩定價格，業界實施了減產措施。隨後的復甦與AI熱潮，是在2024年及2025年大部分時間投資受限的背景下發生的。目前資本支出正在上升，但近期投資的主體仍集中於HBM封裝、先進節點和基礎設施，而非立即增加傳統晶圓投片。

這種紀律有助於維持供應商的定價能力，但卻延長了非人工智慧優先隊列買家的短缺狀況。分析師指出，由於人工智慧需求似乎比以往以消費者為主的週期更為持久，因此在價格達到高峰後產業歷史上常見的過度建設模式，在當前條件下較不可能發生。結果是，相對於總需求而言，供應不足的狀況持續更久，推動 DRAM 和 NAND 產品類別的平均售價上漲。

裝置出貨預測因記憶體成本上升而調整

研究公司因記憶體限制，下修了 2026 年部分裝置出貨預期。智慧型手機與個人電腦的出貨量成長面臨元件成本上升與供應配額緊縮的雙重壓力。部分製造商正吸收部分成本上漲，其他則轉嫁成本或降低規格。整體影響是先前推動大量記憶體位元需求的領域，其出貨量成長將趨緩。

相比之下，AI 伺服器持續擴大其在總記憶體消耗中的份額。每個高端加速器封裝都整合了多個 HBM 堆疊，其支援的系統 DRAM 和儲存容量也隨之擴展。比特需求結構向較少但容量更高的 AI 系統轉移，減少了可用於大眾市場裝置的傳統模組總數。這種結構性變化即使在晶圓開工量小幅上升的情況下，仍強化了定價環境。

預期需求前景將使供應緊張延續至 2027 年之後

SK 海力士的管理層與獨立分析師預測，在基準情境的 AI 增長假設下，需求將持續超過供應能力，直至 2030 年代初期。新型號的產生需要更高的記憶體頻寬與容量。主權 AI 計畫與企業採用進一步增加了需求層級。儘管新晶圓廠最終將提升供應量，但每套系統中與 AI 相關的記憶體內容增長率，可能使市場在一段時間內持續緊張。

Gartner 及其他預測機構指出，2026 年 DRAM 和 NAND 的平均年價格將大幅上漲，而明顯的緩解預計最早也要到 2027 年底才會出現。採購團隊正通過簽訂更長期的協議，並在可行的情況下探索替代技術或供應商來應對。當前失衡的結構性特徵表明，高價格將在未來數年內繼續成為記憶體市場的顯著特徵。

系統設計師與買家的實際效益

系統架構師和採購組織正透過提前鎖定供應、接受更高的記憶體成本，並評估配置取捨來適應變化。部分個人電腦和筆記型電腦設計已減少最大升級選項或採用固定焊接式記憶體，以控制成本和確保供應。企業買家正優先考慮為 DRAM 和 NAND 簽訂多年合約，以確保部署進度按計劃進行。

由於目前缺乏高性能 DRAM 和企業級 NAND 的短期替代品，因此價格敏感度低於以往週期。AI 訓練和推論的性能要求使得在不犧牲能力的情況下，幾乎無法降低記憶體容量。因此，較高的價格被視為持續擴張基礎設施的必要成本，而非抑制需求的信號。這種動態進一步支持了當前定價環境的持續性。

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常見問題

DRAM 和 NAND 價格預計將維持高位多久？

行業高管與研究機構預測，除非到 2027 年底或更晚，否則難以出現顯著的價格放鬆；部分預測指出，在 AI 需求持續增長的情況下，供應緊張的環境可能延續至 2030 年代初期。2027 年至 2030 年間新增的晶圓廠產能將逐步提升供應，但由於建設與爬坡時間長達數年，2026 年與 2027 年仍將受限。