ری: یہ دعویٰ کہ TSMC میموری میں داخل ہو جائے گی اور بڑے تین میموری بنانے والوں کو متاثر کرے گی یہ منطقی نہیں ہے۔ جتنا میرا علم ہے، TSMC نے اس منصوبے پر پانچ سال سے زائد وقت سے کام کیا ہے، لیکن یہ فرض کرنا غلط ہوگا کہ وہ کمودٹی DRAM بن رہی ہے۔ TSMC کے پاس DRAM IP نہیں، DRAM پیٹنٹس نہیں، اور کوئی متعلقہ ٹیکنالوجی نہیں ہے۔ مجھے لگتا ہے کہ "3D DRAM" کا ٹرم ہی غلط فہمی کا باعث ہے۔ صنعت کے ماہرین سے بات چیت کے بعد، میرا خیال ہے کہ TSMC کے DRAM میں داخل ہونے کی رپورٹس کو درست طریقے سے سمجھنا یہ ہے۔ TSMC کی پہلے شائع شدہ تحقیق اس سمت کا اچھا اندازہ دیتی ہے۔ 2025 کے VLSI سیمپوزیم میں، TSMC نے آکسائڈ سيمیکنڈکٹرز پر مبنی ایک میموری ٹیکنالوجی پیش کی، جس میں ایک ٹرانزسٹر اور ایک کینپاسٹر (1T1C) سے بنایا گیا سل خانہ استعمال کیا گیا۔ مقصد یہ تھا کہ اس میموری کو اعلیٰ لاجک چپس میں اندراج کیا جائے اور پروسیسرز کو کم طاقت اور کم لینٹنسی والی کینش فراہم کی جائے۔ اس ڈیزائن کا اہم خاصہ یہ ہے کہ میموری آرے کو لاجک چپ کے BEOL (بک اینڈ آف لائن) انٹرکنکٹ لیرز میں ب без تعمیر کیا جاتا ہے۔ روایتی DRAM الگ چپ کے طور پر تیار کیا جاتا ہے۔ ایک اعلیٰ لاجک چپ کے انٹرکنکٹ لیرز میں میموری آرے تعمیر کرنے کے لئے، TSMC نے آکسائڈ سيمیکنڈکٹر چینل والے سلیکٹ ٹرانزسٹرز اور کم درجہ حرارت پر تعمیر شدہ کینپاسٹرز استعمال کئے۔ TSMC کے مطابق، جس ٹيسٹ چپ میں میموری اور لاجک ایک ڈائ میں اندراج کئے گئے، وہ 0.75V پر کام کرتا تھا۔ ڈیٹا ریٹینشن 128ms سے زائد تھا، رینڈم رید/رائٹ سائکل وقت 8ns سے کم تھا، اور استحکام 10¹⁴ سائکل سے زائد تھا۔ TSMC نے اس ٹیکنالوجی کو اس طرح پوزشن کیا کہ وہ SRAM سے زائد ڈینسٹی فراہم کرتی ہے جبکہ طاقت کا استعمال اور لینٹنسی کم رکھتی ہے۔ تو TSMC 3D DRAM کو SRAM کو تبدیل کرنے والی اگلی نسل کی ٹیکنالوجی کے طور پر تولید کر رہی ہے۔ اور نہ ہی بڑے پمانے پر۔ جو شخص کہتا ہے کہ TSMC DDR یا LPDDR بنائے گا، وہ بالکل نہ جانتا جو بات بول رہا ہے۔