TrendForce: GPU teslim süreleri 30–45 hafta, bu aralığın üst sınırı bir önceki haftaya göre 5 hafta uzadı. DRAM teslim süreleri 19 haftaya kısalırken, bir önceki haftaya göre 1 hafta kısaldı. MLCC teslim süreleri 38 haftaya uzadı, bir önceki haftaya göre 3 hafta uzadı. https://t.co/QBRPWOuedR
Apple, NAND flash tedarikçilerinin defterlerine erişmişti ve bu defterleri o kadar sık inceledi ki Deloitte'den indirim bile aldı. LMAO #AppleBoykotu https://t.co/Qe6YiArp9G
Ana Çin haber ajansı Jiemian News’e göre, Apple, iPhone Duo için üretim kapasitesinin sınırlı olması nedeniyle önceki getiriyle ilgili kalite kontrol standartlarını gevşetmişti. Bu, ekran arızalarına yatkın cihazların piyasaya çıkması olasılığını artırdı. iPhone Duo için Apple’ın kalite kontrolü, şirket tarihinin en kötüsüdür.
Koreli medya raporlarına göre, TSMC, N5'ten sonra başlayan duraklamadan sonra nihayet A14 node'uyla SRAM ölçeklendirmeyi yeniden başlatmayı planlıyor. SRAM bitcell boyutları, 2020 yılında N5 (5 nm) sürecinin piyasaya sürülmesinden beri yaklaşık sekiz yıldır 0,021 µm² seviyesinde sabit kalmıştır. Ancak A14 ile birlikte, yüksek yoğunluklu 6T SRAM (statik rastgele erişimli bellek) bitcell boyutunun 0,017 µm²'nin altına düşmesi bekleniyor. Koreli medya, bu durumun TSMC'nin Intel'in 18A sürecini öne geçireceğini belirtti. Intel, geçen yıl ISSCC'de 18A süreci için 0,021 µm² yüksek yoğunluklu bitcell boyutu ve 38,1 megabit/mm² maksimum SRAM makro yoğunluğu bildirmişti. SRAM, CPU'lar, GPU'lar ve AI akseleratörlerinin içinde kullanılan ultra hızlı önbellek belleğidir. Daha küçük bitcell'ler—en küçük bireysel bellek hücreleri—aynı alana daha fazla bellek sığdırmanıza olanak tanır ve doğrudan performans ile enerji verimliliğini etkiler. https://t.co/tYuy9jFUD4
Geçtiğimiz birkaç günün hafıza endüstrisi haberlerinden en değerli insight, Lam Research CEO’su Tim Archer’den geldi. Şirketin 21 Ekim 2026 tarihli gelir çağrısında, Archer, AI için SLC NAND kullanımının artmasının, aynı miktar depolama kapasitesini sağlamak için gerekli olan çip kapasitesini artırabileceğini açıkladı. Daha yakından inceleyelim. Özellikle, TLC’den SLC sınıfına geçiş, her hücrede saklanan bit sayısını yaklaşık üçte birine düşürür. Bu nedenle, SLC’nin toplam NAND bitlerindeki payının her yüzde bir artışının, aynı toplam bit talebini karşılamak için yaklaşık %2 daha fazla çip kapasitesi gerektireceğini söyledi. Bazı okuyucular, SLC’nin eski ürünlere ait olarak kullanılan ve NAND üretimi için artık güncel olmayan bir yaklaşım olup olmadığını merak edebilir. Tam tersine. SLC, DRAM’de HBM’nin oynadığı rolü NAND’de oynayabilecek çok promising bir alandır. NVIDIA ve hiperscalerler de dahil olmak üzere NAND müşterileri, SLC temelli sonraki nesil ürünler geliştiriyor. NVIDIA ekosisteminde odak noktası, yüksek-IOPS NAND olarak da bilinen SLC tabanlı XL-Flash’tır. NVIDIA ekosisteminin dışında ise SLC, HBF için de temel olarak kullanılıyor. Basitçe ifade edersek, bir TLC çipinin depolama kapasitesini eşitlemek yaklaşık üç SLC çipi gerektirirken, bir QLC çipinin kapasitesini eşitlemek yaklaşık dört SLC çipi gerektirir. Bu SLC tabanlı ürünlerin üretim hacmi arttıkça, NAND çip kapasitesinden giderek daha fazla kaynak tüketeceklerdir. Tam olarak HBM’nin DRAM’de kıtlık yarattığı gibi, bu ürünler NAND’de benzer bir dinamik yaratabilir. HBF ve XL-Flash’in sırasıyla 2028 ve 2027 yılında hacimli üretim aşamasına girmesi planlanıyor. Bu nedenle, bazı analistlerin NAND fiyatlarının 2027’in dördüncü çeyreğinde düşmeye başlayacağına dair tahminlerinin çok konservatif olabileceğini düşünüyorum.
LMAOOOO, Tayvanlı alt tabaka üreticilerinin yöneticileri hâlâ Japonya’nın Nittobo’nun Güney Kore’nin Samsung’u sevmediğini ve bu nedenle Samsung’a daha az cam elyaf sağlayacağını, Samsung Electro-Mechanics’in kapasitesini genişleyemeyeceğini düşünen eski bir zihniyette takılı kalmışlar?? LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
Hibrit bağlama (W2W), High-NA EUV'den önce benimsenecek mi? https://t.co/IOs2QsX8iO
