RE: Утверждение, что TSMC войдет на рынок памяти и нарушит позиции трех крупнейших производителей памяти Это не имеет смысла. Насколько мне известно, TSMC работает над этим проектом более пяти лет, но было бы ошибкой предполагать, что они создают стандартизированную DRAM-память. У TSMC нет IP-прав на DRAM, нет патентов на DRAM и никаких соответствующих технологий. Я считаю, что термин «3D DRAM» и вызывает недопонимание. После общения с отраслевыми экспертами я считаю, что именно так следует интерпретировать сообщения о входе TSMC на рынок DRAM. Ранее опубликованные исследования TSMC дают хорошее представление о направлении разработки. На симпозиуме VLSI 2025 TSMC представила технологию памяти на основе оксидных полупроводников, использующую ячейку из одного транзистора и одного конденсатора (1T1C). Целью было интегрировать эту память в передовые логические чипы и обеспечить процессорам кэш с низким энергопотреблением и низкой задержкой. Ключевой особенностью дизайна является то, что массив памяти построен непосредственно в слоях межсоединений BEOL (back end of line) логического чипа. Традиционная DRAM производится как отдельный чип. Для создания массива памяти в слоях межсоединений передового логического чипа TSMC использовала транзисторы-селекторы с каналом из оксидного полупроводника и конденсаторы, изготовленные с использованием низкотемпературного процесса. Согласно TSMC, тестовый чип, интегрирующий память и логику на одном кристалле, работал при напряжении 0,75 В. Время сохранения данных превышало 128 мс, время случайного чтения/записи составляло менее 8 нс, а долговечность превышала 10¹⁴ циклов. TSMC позиционировала эту технологию как кэш процессора, обеспечивающий более высокую плотность по сравнению с SRAM при сохранении низкого энергопотребления и задержки. Таким образом, TSMC будет производить 3D DRAM как технологию следующего поколения для замены SRAM — и не в крупных объемах. Люди, утверждающие, что TSMC будет производить DDR или LPDDR, вообще не понимают, о чем говорят.