ChainCatcher сообщает, что по данным отраслевых источников от 2 сентября, TSMC ожидает продолжать использовать традиционную технологию микровыступов, а не гибридное соединение, для передовых упаковок, соединяющих высокоскоростную память HBM с AI- Beschleuniger. Учитывая циклы разработки соответствующих материалов, микровыступы с более мелким шагом, вероятно, будут использоваться до конца HBM4 и начала HBM5. TSMC запросила у партнеров по материалам и оборудованию разработку решений для соединения и заполнения подложки с микровыступами около 5 мкм; поставщики из Южной Кореи и Японии уже начали разработку, серийное производство микровыступов размером 5 мкм ожидается с второй половины 2028 года. В настоящее время высота выступов для третьего поколения расширенной HBM — HBM3E — составляет около 15–25 мкм, для HBM4 — около 10 мкм. Японские поставщики материалов ранее заявляли, что сложно обеспечить качество ниже 15 мкм. Уменьшение и утончение выступов обусловлено ограничениями по высоте куба HBM и потребностью в более высокой плотности соединений. Согласно стандартам JEDEC, максимальная высота стека HBM составляет 775 мкм. В передовой упаковке CoWoS от TSMC стек HBM, собранный поставщиками GPU и памяти, устанавливается на кремниевый интерпозит с помощью микровыступов; стек из 16 слоев DRAM-чипов выполняется внутри упаковки HBM такими компаниями, как SK hynix и Samsung Electronics. Первое и второе поколения HBM использовали более крупные припойные выступы; микровыступы стали доминирующими примерно с поколения HBM3. SK hynix использует технологию MR-MUF, Samsung Electronics — TC-NCF. Гибридное соединение обеспечивает более тонкие и плотные соединения за счет прямого соединения медных площадок; TSMC уже применяет его на платформе SoIC для стекирования логических чипов, однако для соединения HBM с интерпозитом по-прежнему используются микровыступы.
TSMC будет продолжать использовать упаковку с микро-бампами для HBM до HBM5
ChaincatcherПоделиться
Сводка
TSMC будет использовать микроприводную упаковку для HBM в чипах ИИ до HBM5, согласно ChainCatcher. Компания работает с поставщиками над решением с приводами 5 мкм для серийного производства в 2028 году. HBM3E использует приводы 15–25 мкм, а HBM4 переходит на 10 мкм. Трейдеры, оценивающие соотношение риска и вознаграждения, могут отслеживать, как технологии упаковки влияют на производительность и стоимость чипов. Технический анализ для криптовалют предлагает следить за активами, связанными с полупроводниками, по мере роста внедрения HBM.
Источник:Показать оригинал
Отказ от ответственности: Информация на этой странице может быть получена от третьих лиц и не обязательно отражает взгляды или мнения KuCoin. Данный контент предоставляется исключительно в общих информационных целях, без каких-либо заверений или гарантий, а также не может быть истолкован как финансовый или инвестиционный совет. KuCoin не несет ответственности за ошибки или упущения, а также за любые результаты, полученные в результате использования этой информации.
Инвестиции в цифровые активы могут быть рискованными. Пожалуйста, тщательно оценивайте риски, связанные с продуктом, и свою устойчивость к риску, исходя из собственных финансовых обстоятельств. Для получения более подробной информации, пожалуйста, ознакомьтесь с нашими Условиями использования и Уведомлением о риске.