Odaily Planet Daily сообщение: SK Hynix и SanDisk опубликовали первые стандартные спецификации следующего поколения технологии хранения на основе NAND-памяти — High Bandwidth Flash (HBF). Спецификация была представлена SK Hynix на FMS 2026 в Сан-Кларе, Калифорния, США, с 4 по 6 августа.
HBF использует вертикальное стекирование NAND-памяти, подобное высокополосной памяти (HBM), для повышения емкости и скорости передачи данных. Спецификация определяет две конфигурации стекирования: 8-слойные и 16-слойные NAND-чипы, с максимальной емкостью до 512 ГБ и тремя уровнями пропускной способности, поддерживающими от 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с.
Подключение HBF к процессорам осуществляется с использованием отраслевого стандарта UCIe, позволяющего подключать различные типы процессоров, такие как GPU и CPU. Спецификация опубликована открыто через организацию Open Compute Project (OCP). В состав консорциума HBF входят Google и компания по производству ИИ-полупроводников Tenstorrent.
SK Hynix также впервые на этом мероприятии представит разрабатываемую 10-ю генерацию (V10) 375-слойную 4D NAND-волну и продукт, а также планирует запустить серийное производство высокопроизводительных и высококапацитивных корпоративных SSD (eSSD) на основе этой технологии в начале следующего года.
