SK Hynix ускоряет производство DRAM 1c, чтобы обогнать Samsung к IV кварталу

Согласно новости ME, 7 сентября (UTC+8) SK Hynix ускоряет увеличение доли производства DRAM шестого поколения на уровне 10 нм (1c). По данным отрасли, SK Hynix ускорит переход во второй половине года, и в четвертом квартале ее доля может достигнуть около 34%, превысив долю Samsung Electronics, составляющую около 31%. На конференции по итогам второго квартала SK Hynix сообщила, что поставка DRAM с использованием технологии 1c началась实质性 во втором квартале, а во второй половине года объем выпуска будет расти благодаря увеличению производства HBM4 и увеличению отгрузок универсального DRAM 1c, что обеспечит рост битов выше, чем в первом полугодии. Samsung Electronics начала использовать DRAM 1c начиная с HBM4, обеспечив скорость работы около 11,7 Гбит/с; ранее SK Hynix для обеспечения стабильности массового производства использовала уже проверенную технологию DRAM 1b и передовую упаковку MR-MUF, а с следующим поколением HBM4E впервые примет DRAM 1c в качестве ядра HBM. Согласно оценкам Counterpoint Research и других аналитиков, в этом году совокупная доля рынка HBM4 компаний NVIDIA, Google и AMD составит примерно 50% для SK Hynix, 20% для Samsung Electronics и 10% для Micron. (Источник: ChainCatcher)