Samsung разрабатывает 8-слойный HBM4E для NVHBM от NVIDIA, стремясь к ключевому партнерству

ChainCatcher сообщает, что, согласно Seoul Economic Daily, Samsung Electronics разрабатывает 8-слойный продукт HBM4E (седьмого поколения), соответствующий требованиям NVIDIA, чтобы занять ключевую позицию в качестве основного поставщика ее специализированной высокоскоростной памяти NVHBM. Этот продукт имеет меньшую высоту стека по сравнению с изначально запланированными 12- и 16-слойными версиями; скорость, требуемая NVIDIA, составляет 17–18 Гбит/с — примерно на 20% выше, чем у первоначальных образцов HBM4E от Samsung (14,4 Гбит/с), и будет использоваться в NVHBM, оптимизированной для NVLink. Использование 8 слоев противоречит традиционной логике HBM, основанной на увеличении числа слоев для повышения емкости, и снижает сложность и нагрузку на выходной процесс, способствуя расширению поставок и рассматривается как стратегия NVIDIA для смягчения дефицита памяти. NVHBM, как ожидается, будет применяться начиная со следующего поколения AI GPU «Rubin Ultra», которое увеличит масштаб соединений между GPU с 72 до 576 и за счет сотен GPU, оснащенных более быстрой HBM, значительно повысит общую вычислительную мощность. На рынке специализированной HBM Samsung обладает большей конкурентоспособностью по сравнению с SK Hynix и Micron, поскольку NVHBM требует одновременной способности к производству DRAM и базовых кристаллов на основе логических чипов — Samsung способна обеспечить комплексное решение. По словам отраслевых экспертов, Samsung уже подтвердила наивысшую в отрасли скорость в HBM4 и сможет использовать это преимущество в гонке скорости.