Samsung и SK Hynix увеличат производство NAND в Китае за счет инвестиций в оборудование

ChainCatcher сообщает, что, согласно报道 ZDNet Korea, Samsung Electronics и SK Hynix планируют продолжать инвестиции в оборудование для линий по производству NAND-памяти в Китае до следующего года с целью укрепления своих производственных мощностей на месте. С начала этого года Samsung уже реализует инвестиции в переход на V9 NAND на линии X2 в Сиане — это передовой продукт с примерно 280 слоями, ожидаемая месячная мощность которого составит 40–50 тысяч пластин. Для стабилизации серийного производства компания уже определила план дополнительных инвестиций, основной акцент которых сделан на закупку оборудования для процесса этching; соответствующие заказы на закупку, как ожидается, будут окончательно утверждены к концу года, а дополнительные инвестиции планируется начать с второй половины следующего года. SK Hynix с третьего квартала этого года приступила к инвестициям в оборудование для модернизации продукции NAND на заводе Dalian 2; обсуждаемый объем соответствует примерно 30 тысячам пластин в месяц, ключевое производственное оборудование начнет поступать уже в следующем месяце, а его развертывание планируется завершить до первой половины следующего года. Завод Dalian был приобретен компанией во второй половине 2020 года вместе с подразделением NAND Intel; в 2022 году там проводилась церемония открытия завода 2 для расширения производства, однако затем из-за рыночных условий и других факторов инвестиции в оборудование были приостановлены, а теперь они возобновлены. Отраслевые эксперты отмечают, что эти меры направлены на поэтапное расширение мощностей по производству передовой NAND-памяти в Китае для удовлетворения растущего спроса на высококлассные хранилища в таких областях, как серверы для искусственного интеллекта.