BlockBeats News, 9 сентября, по данным Сеульской экономической газеты, Samsung Electronics совместно с крупнейшим в мире производителем литографического оборудования ASML будет разрабатывать технологию евроструктурной литографии с высокой числовой апертурой (High-NA EUV). Samsung участвует в инициативе, направленной на смену отраслевых стандартов — переход от 6-дюймовых фотомасок, используемых с 1980-х годов, к 12-дюймовым, и стремится первым создать систему массового производства DRAM на основе оборудования с высокой числовой апертурой EUV.
Samsung планирует начать применение оборудования с высокой NA EUV для производства DRAM с 2028 года, а затем расширить эту технологию на передовые логические процессы 1,4 нм для стимулирования развития своего бизнеса по производству полупроводниковых пластин. Увеличение размера маски направлено на компенсацию ограничений технологии EUV. Числовая апертура высокой NA EUV на 66% выше, чем у традиционной EUV, что позволяет создавать более точные схемы цепей. Замена текущих 6-дюймовых масок на 12-дюймовые повышает производительность заводов и снижает стоимость производства чипов.
