Samsung выделяет более 50% мощностей по производству по технологии 4 нм для чипов на базе HBM4

По информации Mars Finance, подразделение Samsung Electronics по производству полупроводников на контрактной основе недавно превысило порог в 50% в распределении объемов производства на 4-нанометровом процессе для базовых чипов шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4. Отраслевые эксперты отмечают, что в второй половине года более половины 4-нанометровых ватеров будет направлено на производство базовых чипов HBM4 для удовлетворения растущего спроса со стороны NVIDIA, Broadcom, AMD и других компаний. Samsung начала серийное производство и поставки HBM4 уже в феврале этого года и планирует увеличить объемы поставок с третьего квартала, значительно нарастив объемы затрачиваемых ватеров с середины года. Данный чип изготовлен с использованием 4-нанометрового процесса Samsung Foundry (SF4). По состоянию на прошлый месяц более 50% всех мощностей по 4-нанометровому процессу были распределены на производство базовых чипов HBM4. По данным осведомленных источников, текущие мощности Samsung по 4-нанометровому процессу работают на полную нагрузку, причем доля базовых чипов HBM4 составляет около 50–60%, и этот высокий уровень сохранится во второй половине года. Производственные линии Samsung по контрактной сборке в заводах Pyeongtaek 2 и 3 выпускают чипы с процессом от 4 до 7 нанометров, при этом мощность по 4-нанометровому процессу составляет около 30 000 ватеров в месяц, что позволяет оценить объем ватеров, используемых для HBM4, примерно в 15 000 штук в месяц. На конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что ожидает рост выручки от HBM4 в третьем квартале более чем в три раза по сравнению со вторым кварталом, а выручка от HBM4 во второй половине года превысит 60% от общей выручки компании от HBM.