Samsung выделяет более 50% мощностей по производству 4 нм для чипов на базе HBM4

ChainCatcher сообщает, что подразделение полупроводниковых производств Samsung Electronics в процессе 4 нм недавно превысило порог в 50% по объему производства базовых чипов для шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4. По данным отрасли, во второй половине этого года более половины всех 4-нм вайферов будет направлено на производство базовых чипов HBM4 для удовлетворения растущего спроса со стороны NVIDIA, Broadcom, AMD и других. Samsung начала серийное производство и поставки HBM4 в феврале этого года и планирует увеличить объемы поставок с третьего квартала, значительно нарастив объемы вайферов с середины года. Данный чип основан на технологическом процессе 4 нм (SF4) Samsung Foundry. По состоянию на прошлый месяц более 50% всех мощностей по производству 4 нм были распределены на базовые чипы HBM4. По информации осведомленных лиц, текущие мощности 4 нм Samsung работают на полную мощность, причем доля базовых чипов HBM4 составляет около 50–60%, и этот высокий уровень сохранится во второй половине года. Samsung производит вайферы с технологией от 4 до 7 нм на своих заводах Pyeongtaek 2 и 3, при этом мощность по 4 нм составляет около 30 000 вайферов в месяц, что позволяет оценить объем вайферов, связанных с HBM4, примерно в 15 000 штук в месяц. На ежеквартальном телефонном совещании по результатам второго квартала Samsung заявила, что ожидает рост выручки от HBM4 в третьем квартале более чем в три раза по сравнению со вторым кварталом, а выручка от HBM4 во второй половине года превысит 60% от общей выручки компании от HBM.