Micron стремится увеличить производство HBM до 100 000 единиц в месяц к концу года

Марс Финанс сообщает, что, согласно электронным новостям от 3 сентября, Micron планирует удвоить производственные мощности по высокоскоростной памяти с высокой пропускной способностью (HBM) по сравнению с прошлым годом, добавив до 60 000 вайферов в месяц к концу этого года. По данным осведомленных лиц, в прошлом году объем производства HBM Micron составлял примерно 40 000–50 000 вайферов в месяц, и к концу года ожидается достижение объема около 100 000 вайферов в месяц для сокращения разрыва с Samsung Electronics и SK Hynix. Micron увеличивает заказы у нескольких поставщиков оборудования для HBM, основные производственные мощности расположены на фабриках в Тайване и Сингапуре, где продолжается внедрение оборудования. Текущий объем производства в основном приходится на HBM3E с 12 слоями; в начале этого года доля HBM4 с 12 слоями составляла около 20–30%, а к концу года может вырасти до максимума 50%. HBM4 с 12 слоями будет использоваться в новейшем AI-ускорителе NVIDIA Vera Rubin, производство которого Micron начало в втором квартале этого года. Генеральный директор Micron Мехроутра на заседании по итогам третьего квартала финансового года 2026 года в июне этого года отметил, что скорость наращивания производства HBM4 с 12 слоями примерно в два раза выше, чем у HBM3E с 12 слоями, а совокупный доход от поставок HBM4 уже превысил 1 миллиард долларов США. Отраслевые аналитики считают, что ежемесячные производственные мощности Samsung и SK Hynix по HBM составляют примерно 150 000–200 000 вайферов. Данные Counterpoint показывают, что во втором квартале этого года доли рынка HBM составили: SK Hynix — 50%, Samsung — 32%, Micron — 18%. Micron также готовит инвестиции в Хиросиме, Япония.