ETF Roundhill Memory (CBOE: DRAM) зафиксировал наибольший суточный отток в среду прошлой недели на фоне продолжающихся проблем в отрасли памяти. Отток превысил 481 млн долларов по сравнению с 281 млн долларов накануне. За последние 30 дней фонд потерял более 2,24 млрд долларов активов, сократив управляемые активы до 20,2 млрд долларов. На пике спроса и роста цен на акции фонд удерживал более 26 млрд долларов.
ETF продолжил падать на фоне падения акций компаний памяти, достигнув самого низкого уровня с 29 июля. ETF упал до $46,45, что на 43% ниже своего исторического максимума. Падение совпало с продолжающимися оттоками, поскольку инвесторы закрывали позиции.
Samsung Electronics, крупнейшая компания Южной Кореи, упала до 215 500 вон, что на 42% ниже исторического максимума. Рыночная капитализация Samsung снизилась с 1,9 триллиона долларов до 1,05 триллиона долларов сегодня. SK Hynix, ведущая компания по производству памяти с высокой пропускной способностью, также снизилась с июня. Другие крупные компоненты ETF, включая Micron, SanDisk и Western Digital, последовали за этой же нисходящей тенденцией.
Снижение ETF на DRAM было более серьезным, чем снижение других фондов, из-за концентрации в секторе памяти. Все компании в фонде работают в какой-либо части сектора памяти. Samsung, Micron и SK Hynix — три крупнейших активов — составляют более 75% фонда, создавая значительный риск концентрации.
Отток средств продолжается на фоне опасений по поводу пузыря искусственного интеллекта. Индекс пузыря ИИ вырос до 74. Аналитики, включая Майкла Берри и Рэя Дало, предупредили, что пузырь может лопнуть в ближайшее время. Дало указал на рост процентных ставок и доходности облигаций. Gartner недавно предупредил, что крупные инвесторы в сфере ИИ должны будут объявить существенные снижения оценки к концу 2030 года. Такие снижения повлияют на спрос на память и другие компоненты. Аналитики также предупреждают, что китайские конкуренты, такие как CXMT, со временем увеличат свою долю на рынке.
Однако компании, производящие память, сообщают о одном из самых высоких доходов в отрасли. Выручка Micron за четвертый квартал выросла на 379% до 54 миллиардов долларов. Samsung сообщила о прибыли в 80 миллиардов долларов. Китайская CXMT зафиксировала семикратный рост выручки из-за роста спроса на решения по памяти CXMT.
Компании памяти также сильно недооценены. У Micron впереди ориентированный коэффициент P/E составляет 4,98%. У SanDisk впереди ориентированный коэффициент P/E составляет 6. У Western Digital коэффициент P/E равен 16.
ETF на DRAM демонстрирует ежедневный отток в размере 481 млн долларов на фоне опасений относительно пузыря ИИ
BenzingaПоделиться
Сводка
DRAM ETF сталкивается с оттоком средств в размере 481 млн долларов на фоне опасений относительно пузыря ИИ. Roundhill Memory ETF (DRAM) зафиксировал крупнейший суточный отток средств в размере 481 млн долларов в среду прошлой недели. За последние 30 дней фонд потерял более 2,24 млрд долларов активов, а его стоимость снизилась на 43% по сравнению с историческим максимумом. Аналитики предупреждают о пузыре ИИ, при этом индекс пузыря ИИ достиг 74. Крупные инвесторы могут объявить о снижении оценок к 2030 году. Компании-производители памяти, такие как Micron и Samsung, сообщили о сильных квартальных доходах.
Источник:Показать оригинал
Отказ от ответственности: Информация на этой странице может быть получена от третьих лиц и не обязательно отражает взгляды или мнения KuCoin. Данный контент предоставляется исключительно в общих информационных целях, без каких-либо заверений или гарантий, а также не может быть истолкован как финансовый или инвестиционный совет. KuCoin не несет ответственности за ошибки или упущения, а также за любые результаты, полученные в результате использования этой информации.
Инвестиции в цифровые активы могут быть рискованными. Пожалуйста, тщательно оценивайте риски, связанные с продуктом, и свою устойчивость к риску, исходя из собственных финансовых обстоятельств. Для получения более подробной информации, пожалуйста, ознакомьтесь с нашими Условиями использования и Уведомлением о риске.