Tentang klaim bahwa TSMC akan memasuki pasar memori dan mengganggu tiga produsen memori utama Ini tidak masuk akal. Sejauh yang saya ketahui, TSMC telah mengerjakan proyek ini selama lebih dari lima tahun, tetapi akan menjadi kesalahan untuk mengasumsikan bahwa yang mereka bangun adalah DRAM komoditas. TSMC tidak memiliki IP DRAM, tidak memiliki paten DRAM, dan tidak memiliki teknologi terkait apa pun. Saya pikir istilah "3D DRAM" adalah penyebab salah paham ini. Setelah berbicara dengan para ahli industri, saya percaya ini adalah cara yang benar untuk memahami laporan tentang masuknya TSMC ke pasar DRAM. Penelitian TSMC yang sebelumnya dipublikasikan memberikan gambaran yang baik mengenai arahnya. Pada VLSI Symposium 2025, TSMC mempresentasikan teknologi memori berbasis semikonduktor oksida, menggunakan sel yang terdiri dari satu transistor dan satu kapasitor (1T1C). Tujuannya adalah mengintegrasikan memori ini ke dalam chip logika canggih dan memberikan prosesor cache dengan konsumsi daya rendah dan latensi rendah. Fitur utama desain ini adalah bahwa array memori dibangun langsung di lapisan interkoneksi back end of line (BEOL) dari chip logika. DRAM konvensional diproduksi sebagai chip terpisah. Untuk membangun array memori di lapisan interkoneksi chip logika canggih, TSMC menggunakan transistor pilihan dengan saluran semikonduktor oksida dan kapasitor yang diproduksi dengan proses suhu rendah. Menurut TSMC, chip uji yang mengintegrasikan memori dan logika pada satu die beroperasi pada 0,75V. Retensi data melebihi 128ms, waktu siklus baca/tulis acak di bawah 8ns, dan ketahanan di atas 10¹⁴ siklus. TSMC memposisikan teknologi ini sebagai cache prosesor yang menawarkan kepadatan lebih tinggi daripada SRAM sambil tetap menjaga konsumsi daya dan latensi rendah. Jadi, TSMC akan memproduksi 3D DRAM sebagai teknologi generasi berikutnya untuk menggantikan SRAM. Dan bukan dalam volume besar pula. Siapa pun yang mengatakan TSMC akan membuat DDR atau LPDDR tidak tahu apa yang mereka bicarakan.