ChainCatcher melaporkan, menurut sumber industri bahan pada 2 September, TSMC diperkirakan akan terus menggunakan teknologi microbump tradisional daripada hybrid bonding dalam jangka pendek untuk pengemasan canggih yang menghubungkan High Bandwidth Memory (HBM) dengan akselerator AI. Mengingat siklus pengembangan bahan terkait, microbump dengan jarak lebih kecil diperkirakan akan tetap digunakan hingga akhir HBM4 dan awal HBM5. TSMC telah meminta mitra bahan dan peralatan untuk mengembangkan solusi bonding dan underfill untuk microbump sekitar 5 mikrometer. Pemasok dari Korea dan Jepang telah mulai mengembangkannya, dan produksi massal microbump tingkat 5μm diperkirakan dimulai pada paruh kedua 2028. Saat ini, tinggi bump pada HBM3E, generasi ketiga HBM yang diperluas, sekitar 15–25μm, sementara HBM4 mendekati sekitar 10μm. Pemasok bahan Jepang sebelumnya menyatakan kesulitan menjamin kualitas di bawah 15μm. Pemendekan dan penyempitan bump dilakukan karena batasan tinggi kubus HBM dan kebutuhan densitas interkoneksi yang lebih tinggi. JEDEC menetapkan ketinggian maksimum stack HBM sebesar 775μm. Dalam pengemasan CoWoS canggih TSMC, stack HBM yang telah dirakit oleh GPU dan pemasok memori dipasang ke silikon interposer melalui microbump, dengan stack 16 lapisan DRAM die diselesaikan di dalam paket HBM oleh SK hynix dan Samsung Electronics. Generasi pertama dan kedua HBM menggunakan solder bump yang lebih besar, sedangkan microbump menjadi standar sekitar generasi HBM3. SK hynix menggunakan proses MR-MUF, sementara Samsung Electronics menggunakan TC-NCF. Hybrid bonding memungkinkan interkoneksi yang lebih tipis dan lebih padat melalui bonding langsung pad tembaga, dan TSMC telah menggunakannya di platform SoIC untuk stacking chip logika, tetapi HBM tetap menggunakan microbump untuk menghubungkan ke interposer.
TSMC akan Terus Menggunakan Pengemasan Micro-Bump untuk HBM Hingga HBM5
ChaincatcherBagikan
Ringkasan
TSMC akan tetap menggunakan teknologi packaging micro-bump untuk HBM pada chip AI hingga HBM5, menurut ChainCatcher. Perusahaan ini sedang bekerja sama dengan pemasok untuk solusi bump 5-mikron guna produksi massal pada 2028. HBM3E menggunakan bump 15–25μm, sementara HBM4 beralih ke 10μm. Trader yang mengevaluasi rasio risiko-terhadap-imbalan dapat memantau bagaimana teknologi packaging memengaruhi kinerja dan biaya chip. TA untuk kripto menyarankan untuk memperhatikan aset yang terkait dengan semikonduktor seiring meningkatnya adopsi HBM.
Sumber:Tampilkan versi asli
Penafian: Informasi pada halaman ini mungkin telah diperoleh dari pihak ketiga dan tidak mencerminkan pandangan atau opini KuCoin. Konten ini disediakan hanya untuk tujuan informasi umum, tanpa representasi atau jaminan apa pun, dan tidak dapat ditafsirkan sebagai saran keuangan atau investasi. KuCoin tidak bertanggung jawab terhadap segala kesalahan atau kelalaian, atau hasil apa pun yang keluar dari penggunaan informasi ini.
Berinvestasi di aset digital dapat berisiko. Harap mengevaluasi risiko produk dan toleransi risiko Anda secara cermat berdasarkan situasi keuangan Anda sendiri. Untuk informasi lebih lanjut, silakan lihat Ketentuan Penggunaan dan Pengungkapan Risiko.