ChainCatcher melaporkan, pada tanggal 9, SK Hynix menyatakan bahwa pengembangan memori generasi berikutnya, 3D DRAM, dapat memanfaatkan proses foundry. Sehari sebelumnya, di acara 2026 SK Hynix Future Forum yang diadakan di pusat Supex, kawasan Yeoju, Wakil Presiden Kim Kyung-hoon dan Son Ho-young mengungkapkan arah teknis utama 3D DRAM, termasuk penggunaan proses foundry logika untuk sirkuit periferal DRAM, memaksimalkan bandwidth bus data, dan transmisi jarak sangat pendek. 3D DRAM adalah DRAM generasi berikutnya yang menumpuk unit penyimpanan secara vertikal, yang sebelumnya diletakkan secara datar, untuk meningkatkan kepadatan integrasi. Keduanya menyatakan bahwa selain masalah desain dan panas, penerapan teknologi ini juga memerlukan penyelesaian tantangan di bidang packaging, seperti interkoneksi mikro, bonding, dan integrasi proses. Seiring semakin kaburnya batas antara proses depan dan belakang packaging, serta antara teknologi foundry dan memori, optimasi bersama yang melampaui bidang-bidang tradisional akan menjadi semakin penting. Son Ho-young menekankan bahwa teknologi 3D sedang mengubah batas teknologi pabrik wafer dan packaging, dan perlu membangun sistem optimasi serta kolaborasi baru yang melampaui bidang-bidang tradisional bersama dengan inovasi teknologi packaging canggih. Profesor Shin Chang-hwan dari Universitas Korea, yang juga menyampaikan presentasi dengan tema serupa, menyatakan bahwa 3D DRAM bukan hanya tentang penumpukan chip secara vertikal, tetapi juga teknologi yang menghilangkan batas antara memori dan logika; seiring pendekatan miniaturisasi perangkat terhadap batasnya dan peningkatan waktu serta konsumsi daya akibat perpindahan data antara sistem dan memori, peralihan ke teknologi 3D menjadi tak terhindarkan. Ia mengusulkan kerangka desain integrasi 3D yang menghubungkan empat bidang—material, perangkat, packaging, dan arsitektur—dengan kecerdasan buatan. Dalam sambutannya, CEO SK Hynix Kwon Ro-jae menyatakan bahwa pasar memori dulu seperti jalan lurus yang menentukan siapa yang lebih cepat, tetapi sekarang seperti tikungan yang terus berubah; selain kemampuan internal, penting pula untuk memahami kecepatan dan arah perubahan lingkungan eksternal serta beradaptasi secara fleksibel.
SK Hynix Menjajaki Pengembangan DRAM 3D Menggunakan Proses Foundry
ChaincatcherBagikan
Ringkasan
SK Hynix menguraikan rencana pengembangan 3D DRAM di 2026 Future Forum, dengan fokus pada proses foundry untuk sirkuit periferal, tautan bus data berkecepatan tinggi, dan transmisi ultra-pendek. Tantangan meliputi interkoneksi halus dan bonding. Son Ho-young menyatakan bahwa teknologi 3D mengaburkan batas antara wafer dan packaging, mendorong kolaborasi baru yang sesuai CFT. Profesor Shin mencatat bahwa 3D DRAM dapat meningkatkan aset risk-on dengan menghubungkan AI, material, dan arsitektur.
Sumber:Tampilkan versi asli
Penafian: Informasi pada halaman ini mungkin telah diperoleh dari pihak ketiga dan tidak mencerminkan pandangan atau opini KuCoin. Konten ini disediakan hanya untuk tujuan informasi umum, tanpa representasi atau jaminan apa pun, dan tidak dapat ditafsirkan sebagai saran keuangan atau investasi. KuCoin tidak bertanggung jawab terhadap segala kesalahan atau kelalaian, atau hasil apa pun yang keluar dari penggunaan informasi ini.
Berinvestasi di aset digital dapat berisiko. Harap mengevaluasi risiko produk dan toleransi risiko Anda secara cermat berdasarkan situasi keuangan Anda sendiri. Untuk informasi lebih lanjut, silakan lihat Ketentuan Penggunaan dan Pengungkapan Risiko.