TrendForce : Les délais d'approvisionnement des GPU sont de 30 à 45 semaines, avec la limite supérieure de la fourchette en hausse de 5 semaines par rapport à la semaine précédente. Les délais d'approvisionnement des DRAM ont été réduits à 19 semaines, soit une baisse d'une semaine par rapport à la semaine précédente. Les délais d'approvisionnement des MLCC ont été allongés à 38 semaines, soit une hausse de 3 semaines par rapport à la semaine précédente. https://t.co/QBRPWOuedR
Apple avait accès aux livres de ses fournisseurs de mémoire NAND flash et les a révisés si souvent qu'il a même obtenu une réduction de la part de Deloitte. LMAO #BoycottApple https://t.co/Qe6YiArp9G
Selon le média chinois continental Jiemian News (界面新闻), Apple a précédemment assoupli certaines de ses normes de contrôle qualité liées au rendement en raison de capacités de production limitées pour l’iPhone Duo. Cela aurait augmenté la probabilité que des unités sujettes à des défaillances d’affichage atteignent le marché. Le contrôle qualité d’Apple pour l’iPhone Duo est le pire de l’histoire de l’entreprise.
TSMC est enfin prête à reprendre la mise à l'échelle de la SRAM avec son nœud A14, après une pause qui a commencé après le N5, selon des rapports des médias coréens. Les tailles des bitcells SRAM sont restées à 0,021 µm² pendant environ huit ans depuis le lancement du processus N5 (5 nm) en 2020. Toutefois, avec le A14, la taille d'un bitcell SRAM 6T à haute densité (mémoire vive statique) devrait réduire à moins de 0,017 µm². Les médias coréens ont noté que cela placerait TSMC en avance sur le processus 18A d'Intel, pour lequel Intel a déclaré une taille de bitcell à haute densité de 0,021 µm² et une densité maximale de macro SRAM de 38,1 mégabits/mm² lors de l'ISSCC l'année dernière. La SRAM est la mémoire cache ultra-rapide utilisée à l'intérieur des CPU, GPU et accélérateurs AI. Des bitcells plus petits — les cellules de mémoire les plus petites individuelles — permettent de placer plus de mémoire dans la même surface, affectant directement les performances et l'efficacité énergétique. https://t.co/tYuy9jFUD4
L’analyse la plus précieuse des derniers jours d’actualités du secteur de la mémoire est venue du PDG de Lam Research, Tim Archer. Lors de la conférence téléphonique sur les résultats du 21 octobre 2026, Archer a expliqué que l’adoption croissante du NAND SLC pour l’IA pourrait augmenter la capacité en wafers nécessaire pour fournir le même montant de stockage. Examinatez cela de plus près. Plus précisément, passer des produits TLC au NAND SLC réduit le nombre de bits stockés par cellule à environ un tiers. En conséquence, a-t-il déclaré, chaque augmentation de 1 point de pourcentage de la part du SLC dans le total des bits NAND nécessiterait environ 2 % de capacité supplémentaire en wafers pour répondre à la même demande globale en bits. Certains lecteurs se demandent peut-être si le SLC est une approche obsolète de la production NAND, utilisée principalement dans les produits hérités. Bien au contraire. Le SLC est un domaine très prometteur qui pourrait jouer dans le NAND un rôle similaire à celui que joue le HBM dans le DRAM. Les clients du NAND, y compris NVIDIA et les hyperscalers, développent des produits de prochaine génération basés sur le SLC. Dans l’écosystème NVIDIA, l’accent est mis sur le XL-Flash basé sur le SLC, également connu sous le nom de NAND à hauts IOPS. En dehors de l’écosystème NVIDIA, le SLC est également utilisé comme base pour le HBF. En résumé, égaler la capacité de stockage d’un wafer TLC nécessite environ trois wafers SLC, tandis qu’égaler un wafer QLC en nécessite environ quatre. À mesure que la production de ces produits basés sur le SLC s’intensifie, ils consommeront une part croissante de la capacité en wafers NAND. Tout comme le HBM a provoqué des pénuries dans le DRAM, ces produits pourraient créer une dynamique similaire dans le NAND. Étant donné que le HBF et le XL-Flash sont prévus pour entrer en production de masse en 2028 et 2027 respectivement, je pense que nous devrions envisager que certaines prévisions des analystes selon lesquelles les prix du NAND commenceront à baisser au quatrième trimestre 2027 pourraient être excessivement prudentes.
LMAOOOO, les dirigeants des fabricants taïwanais de substrats sont toujours coincés dans cette mentalité dépassée selon laquelle Nittobo du Japon déteste Samsung de Corée, donc il fournira moins de fibre de verre à Samsung, et Samsung Electro-Mechanics ne pourra pas augmenter sa capacité ?? LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
Le bonding hybride (W2W) sera-t-il adopté avant l’EUV High-NA ? https://t.co/IOs2QsX8iO
