Citi : l'apprentissage continu de l'IA prolongera la pénurie de mémoire jusqu'en 2031

Citi alerte sur une pénurie d'approvisionnement en mémoire sur plusieurs années alors que l'IA entre dans l'ère de l'apprentissage continu
Citi Research a publié une analyse détaillée le 14 septembre 2026, prévoyant que le passage des systèmes d'intelligence artificielle à une phase d'apprentissage continu redéfinira fondamentalement les modèles de demande pour la mémoire à large bande passante, le DDR5 des serveurs et les disques d'État solide entrepris. Cette transition fait évoluer l'IA au-delà des modèles d'entraînement et d'inférence statiques vers des systèmes qui mettent à jour continuellement leurs connaissances et conservent les données antérieures, créant une pression soutenue sur l'offre de mémoire. Les prévisions de la banque montrent que les ratios d'offre et de demande de DRAM deviendront nettement négatifs en 2027 et 2028, tandis que le NAND suivra une trajectoire similaire, avec un déséquilibre attendu jusqu'en 2031.
Ces projections interviennent au moment où les marchés expriment récemment des préoccupations concernant le retour sur les dépenses en capital liées à l'IA et les ajustements des spécifications de la mémoire à large bande passante, mais Citi interprète ces derniers comme des signes de contraintes d'offre plutôt que d'une demande en baisse. Des données de suivi industriel soutiennent que la mémoire représente déjà plus de la moitié des revenus des semi-conducteurs au cours des derniers trimestres, soulignant la nature structurelle de cette tension. L'apprentissage continu étendra simultanément la demande sur les HBM, la DRAM serveur et le stockage entreprise à partir de 2027, dépassant les augmentations de capacité réalisables et entraînant des pénuries pluriannuelles qui redéfiniront le pouvoir de tarification et les priorités d'investissement des principaux fournisseurs de mémoire.
La demande de HBM Bit devrait augmenter de 62 % en 2027 dans le cadre d'un apprentissage continu
Le rapport de Citi du 14 septembre estime que la demande en bits de mémoire à large bande passante augmentera de 62 % d'une année sur l'autre pour atteindre 75,2 milliards de gigabits en 2027, avant d'augmenter encore de 69 % pour atteindre environ 127 milliards de gigabits en 2028. Ces chiffres doublent environ les projections antérieures et reflètent les deux exigences imposées par l'apprentissage continu : la mise à jour des modèles et l'accès persistant aux données historiques. Les sources de demande s'étendent au-delà d'un seul fournisseur d'accélérateur ; les besoins de Broadcom en HBM devraient passer d'environ 9 milliards de gigabits en 2026 à plus de 41 milliards en 2028, tandis que les besoins de Google augmenteront de près de 4,7 milliards à 14 milliards de gigabits sur la même période.
Du côté de l'offre, la capacité mensuelle de plaquettes est prévue pour augmenter de 420 000 plaquettes en 2027 vers 700 000, mais les expéditions accélérées de ASIC personnalisés devraient pousser le ratio offre-demande de HBM à un déficit de 36 % d'ici 2028. Les longs délais pour l'emballage avancé et la construction de nouvelles usines limitent la rapidité de réponse, laissant le marché structurellement en pénurie même si les dépenses en capital augmentent. Les vérifications industrielles citées par la banque confirment que les demandes des clients pour les allocations 2027-2028 continuent d'intensifier, renforçant l'idée que les ajustements de spécification représentent un rationnement plutôt qu'une faiblesse de la demande. Cette dynamique positionne le HBM comme le principal goulot d'étranglement pour les systèmes d'IA de prochaine génération qui doivent conserver et affiner des connaissances sur de longues périodes opérationnelles.
La demande pour les serveurs DDR5 devrait augmenter de 51 % à mesure que l'apprentissage continu s'intensifie
La demande mondiale de DRAM devrait augmenter de 30,2 % en 2027, tandis que l'offre ne progressera que de 18,8 %, créant un déficit offre-demande de 8,7 % qui s'élargira à 9,7 % en 2028, la demande augmentant encore de 35 % contre une croissance de l'offre de 22 %. La DRAM serveur devrait spécifiquement bondir de 51 %, passant de 226,3 milliards d'unités (équivalent 1 Go) en 2026 à 341,7 milliards d'unités en 2027, représentant environ 67 % de la consommation totale de DRAM. L'apprentissage continu stimule cette accélération, car les modèles nécessitent des mises à jour fréquentes des paramètres ainsi qu'un accès rapide aux connaissances précédemment acquises, renforçant le rôle des modules DDR5 serveur haute performance.
La production de HBM consomme déjà des wafers qui auraient autrement soutenu la DRAM standard, tandis que des transitions plus lentes entre les nœuds technologiques limitent davantage la production. Citi souligne que même des augmentations agressives des dépenses en capital ne fermeront pas l'écart de 2027, compte tenu des délais pluriannuels nécessaires pour les capacités greenfield. La tension résultante devrait soutenir de nouveaux gains de prix de vente moyens, avec des prix moyens combinés de DRAM prévus en hausse de 23,1 % en 2027 après les progrès exceptionnels enregistrés en 2026. Ces conditions créent un pouvoir de tarification durable pour les fournisseurs qui conservent des positions de leader à la fois dans le HBM et la mémoire serveur haute performance.
La croissance de la demande de SSD d'entreprise de 53 % est liée aux besoins de conservation des données
La demande de disques durs à état solide pour entreprises devrait augmenter de 52,9 % en 2027, alors que les systèmes d'apprentissage continu déplacent les charges de travail du cache clé-valeur vers le stockage externe et adoptent des configurations QLC à haute capacité pour les serveurs d'IA. Cette croissance découle directement de la nécessité de conserver les données précédemment apprises tandis que les modèles continuent d'être formés sur de nouvelles tâches, un processus qui multiplie l'intensité de stockage par rapport aux charges de travail d'inférence statiques. Citi anticipe une augmentation globale de la demande de NAND de 29 % en 2027 et de 33 % en 2028, dépassant la croissance de l'offre de 21 % et 25 %, et produisant respectivement des rapports offre-demande de -6,1 % et -5,5 %.
La capacité NAND de Samsung devrait diminuer de 4,7 % à court terme, car les ressources sont priorisées pour le DRAM et le HBM, limitant ainsi l'expansion à l'échelle de l'industrie. La combinaison d'une capacité HBM réduite par accélérateur, des tendances de Nvidia en matière de déchargement du cache et du développement croissant de l'IA personnelle et physique amplifie davantage les besoins en eSSD. Même si les dépenses en capital pour la NAND augmentent de 34,2 % pour atteindre 21,8 milliards de dollars en 2027, les longs cycles de construction et de qualification empêchent une fermeture rapide du déficit. Ces facteurs transforment le stockage en une contrainte structurelle plutôt que cyclique pour l'infrastructure IA.
La croissance de l'offre de DRAM limitée à 19 % en 2027 malgré l'augmentation des dépenses en capital
Citi prévoit que les dépenses totales en capital mémoire vont bondir de 46,5 % pour atteindre 80,4 milliards de dollars en 2027, les dépenses en DRAM seul augmentant de 51,6 % pour atteindre 58,6 milliards de dollars. Samsung devrait allouer 20,6 milliards de dollars, SK Hynix 17,5 milliards de dollars et Micron 15,8 milliards de dollars. Malgré cette échelle d'investissement, les ajouts de capacité greenfield font face à des délais pluriannuels pour la construction de salles propres, l'installation des équipements et la qualification des processus, ce qui les rend insuffisants pour équilibrer la demande de 2027. La migration technologique reste plus lente que les normes historiques, et le conditionnement HBM consomme des ressources en wafers et en assemblage disproportionnées.
La banque conclut donc que l'offre sera en retard par rapport à la croissance de la demande de 30 % en 2027 et de 35 % en 2028, entraînant des déficits de 8,7 % et 9,7 %. Les cycles historiques des semi-conducteurs montrent que, une fois les stocks tombés en dessous des niveaux normaux et que la demande reste structurellement élevée, la tension sur les prix et les allocations peut persister pendant plusieurs années. Les indicateurs actuels de stocks se situent déjà bien en dessous des seuils traditionnels chez les fournisseurs, les opérateurs cloud et les canaux, ce qui renforce davantage la thèse d'une pénurie prolongée.
Les contraintes de capacité NAND s'intensifient alors que les ressources sont déplacées vers l'HBM
La demande d'expansion du NAND à l'échelle de l'industrie reste faible, les principaux fournisseurs réorientant leurs capitaux et leurs ressources d'ingénierie vers le HBM et le DRAM serveur à plus forte marge. La production de NAND de Samsung devrait diminuer de 4,7 % à court terme, tandis que la croissance globale de l'offre de 21 % en 2027 et de 25 % en 2028 reste inférieure aux augmentations de la demande de 29 % et 33 %. L'apprentissage continu accentue ce déséquilibre en augmentant les exigences des SSD entreprise en matière de conservation des données à long terme et de déchargement du cache.
Citi prévoit que les prix moyens de vente des NAND augmenteront de 45,3 % en 2027, prolongeant la forte tendance haussière observée en 2026. Des niveaux d'inventaire bas et des stocks des fournisseurs d'environ 2,6 semaines contre une base normale de cinq semaines limitent davantage la capacité de l'industrie à absorber les pics de demande. Ces conditions créent un cycle auto-renforçant dans lequel les ajouts de capacité restent prudents jusqu'à ce que des prix élevés durables justifient des investissements plus larges, prolongeant ainsi la période de pénurie bien au-delà des durées traditionnelles des cycles.
L'adoption de l'IA personnelle et de l'IA physique sous-tend une prolongation de la pénurie sur plusieurs années
Citi estime que la prolifération à grande échelle de l'apprentissage continu, des agents IA personnels et des systèmes d'IA physiques fournira le plancher de demande fondamental soutenant la sous-offre jusqu'en 2031. L'IA personnelle nécessite une mémoire persistante des interactions et du contexte de l'utilisateur, tandis que les applications d'IA physique dans la robotique et les systèmes autonomes génèrent des flux continus de données capteurs qui doivent être stockées et affinées. Ces cas d'utilisation élargissent le marché total adressable pour le stockage à haut débit et haute capacité au-delà des clusters d'entraînement des hyperscalers actuels.
L'analyse de la banque indique que, une fois que ces applications atteindront une masse critique, les taux de croissance de la demande resteront élevés même si les charges de travail d'entraînement purs se modèrent. Les réponses du côté de l'offre, limitées par l'intensité en capital et la complexité technique, ne peuvent pas suivre cette trajectoire dans le horizon de prévision. En conséquence, le marché de la mémoire passe d'une reprise cyclique à un surcycle structurel caractérisé par des déficits soutenus et des prix élevés.
Principaux fournisseurs de mémoire bien positionnés pour un pouvoir tarifaire structurel
Citi identifie Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, SanDisk et Kioxia comme les principaux bénéficiaires de la sévérité prévue sur plusieurs années. Samsung et SK Hynix occupent des positions de leader à la fois sur le HBM et le DDR5 haute performance pour serveurs, les plaçant au cœur de la vague de demande. Micron tire profit de son empreinte HBM en expansion et de son échelle en DRAM, tandis que SanDisk et Kioxia capturent l'opportunité des SSD entreprise et du NAND à haute densité.
Les fournisseurs d'équipements et de matériaux, notamment Applied Materials, Lam Research, Montage, TES, Eugene Technology et TechWing, sont également présentés comme des bénéficiaires indirects du cycle de dépenses en capital accrues. La combinaison d'une offre limitée et de prix de vente moyens en hausse devrait se traduire par une expansion des marges et une meilleure génération de trésorerie pour ces entreprises pour le reste de la décennie. Les données du marché montrent déjà que la mémoire contribue à plus de 50 % du chiffre d'affaires des semi-conducteurs au cours des derniers trimestres, confirmant le rôle prépondérant du secteur dans la construction de l'infrastructure IA.
Les revenus du secteur des semi-conducteurs au T2 soulignent la force du marché de la mémoire
Selon les données d'Omdia citées dans le cadre de l'analyse de Citi, les revenus mondiaux des semi-conducteurs ont atteint un record historique dépassant 425 milliards de dollars au deuxième trimestre 2026, la mémoire représentant 54 % du total, la première fois que cette catégorie dépasse la moitié des ventes du secteur. Le secteur a enregistré quatre trimestres consécutifs de croissance séquentielle à deux chiffres, une rareté dans les données historiques couvrant près de 100 trimestres.
L'investissement dans l'infrastructure IA stimule la demande non seulement pour les HBM et les DRAM, mais aussi pour les composants associés non mémoire. Ces chiffres apportent un soutien empirique à l'affirmation de Citi selon laquelle le cycle actuel diffère des précédentes reprises de la mémoire motivées principalement par l'électronique grand public. La contribution soutenue de la mémoire à la croissance globale des semi-conducteurs renforce l'idée que les contraintes d'offre resteront contraignantes à mesure que les charges de travail d'apprentissage continu augmenteront.
Augmentation des dépenses en capital de 46,5 % toujours insuffisante pour l'équilibre de 2027
Même si les dépenses mondiales en capital pour la mémoire sont projetées à une augmentation de 46,5 % pour atteindre 80,4 milliards de dollars en 2027, Citi conclut que le calendrier des ajouts de capacité laissera le marché en déficit. Les dépenses en DRAM devraient atteindre 58,6 milliards de dollars et celles en NAND 21,8 milliards de dollars, mais les projets greenfield nécessitent plusieurs années entre le début des travaux et la production en volume qualifié.
Les installations existantes font face à des limites dues aux délais d'approvisionnement des outils, à la disponibilité de main-d'œuvre qualifiée et à la complexité technique du conditionnement avancé requis pour le HBM. La banque est donc d'avis que la croissance de l'offre de 19 % pour le DRAM et de 21 % pour le NAND en 2027 ne pourra pas suivre les augmentations correspondantes de la demande. Ce déséquilibre prépare le terrain à une continuité de la tension d'attribution et à une solidité des prix au cours des années suivantes, indépendamment des fluctuations à court terme du sentiment concernant les dépenses en capital pour l'IA.
Les ajustements de Despec interprétés comme un rationnement de l'offre plutôt qu'une faiblesse de la demande
Le débat récent entourant de possibles réductions des spécifications de mémoire à large bande passante par accélérateur a été interprété par certains acteurs du marché comme un signe d'une demande en refroidissement. Citi adopte une vision opposée, qualifiant ces ajustements de réponse rationnelle à la disponibilité limitée de la HBM, permettant aux fabricants de puces de maximiser le nombre d'accélérateurs expédiés dans un cadre d'approvisionnement contraint.
La révision à la hausse par la banque des prévisions de demande pour les bits HBM, environ doublant les estimations antérieures, soutient cette interprétation. Les demandes des clients pour les allocations de 2027 et 2028 continuent d'augmenter, et les principaux programmes de silicium sur mesure chez Broadcom et Google montrent une expansion plutôt qu'une contraction de l'empreinte mémoire. Ces observations indiquent que la trajectoire de la demande sous-jacente reste intacte et que les changements de spécification représentent une allocation efficace des ressources dans des conditions de rareté.
Les niveaux de stock restent structurellement bas dans toute la chaîne d'approvisionnement
Les stocks des fournisseurs, des fournisseurs de cloud et des canaux pour le DRAM et le NAND sont bien en dessous des normes historiques, selon les données industrielles citées dans le rapport Citi. Les stocks des fournisseurs de NAND sont estimés à environ 2,6 semaines contre un niveau normal de cinq semaines, tandis que les stocks cloud se situent autour de trois semaines contre une base de sept semaines. Les inventaires de canal restent également compressés. Ces niveaux bas laissent peu de marge de manœuvre face à une accélération de la demande provenant des charges de travail d'apprentissage continu.
Dans les cycles précédents, la reconstruction des stocks a nécessité plusieurs trimestres de production accrue ; selon les taux de croissance de la demande projetés, cette reconstruction devient encore plus difficile. L'absence de stocks excédentaires amplifie donc l'impact de toute demande supplémentaire, renforçant la perspective de pénurie pluriannuelle jusqu'en 2031.
La thèse de la pénurie structurelle future s'étend jusqu'en 2031
La conclusion principale de Citi est que la combinaison de l'apprentissage continu, de l'IA personnelle et de l'IA physique génèrera une croissance de la demande qui dépassera constamment la capacité de l'industrie à ajouter une capacité qualifiée dans les délais pertinents. Des déficits d'offre et de demande de 8,7 % pour le DRAM et de 6,1 % pour le NAND en 2027 devraient persister sous une forme modifiée pendant plusieurs années supplémentaires. L'intensité en capital, la complexité technique et la priorisation donnée à l'HBM par rapport aux autres types de mémoire créent des barrières structurelles à un rééquilibrage rapide.
En conséquence, le marché de la mémoire est positionné pour une période prolongée de prix élevés, d'une discipline d'allocation et d'une forte génération de trésorerie pour les principaux fournisseurs. L'analyse fournit un cadre clair pour comprendre pourquoi les préoccupations récentes concernant le rendement des investissements en IA sont peu susceptibles de inverser la tension sous-jacente des semi-conducteurs mémoire jusqu'à la fin de la décennie.
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FAQ
Que signifie exactement l'apprentissage continu dans le contexte de la demande de mémoire de l'IA ?
L'apprentissage continu désigne les systèmes d'IA qui mettent constamment à jour leurs modèles avec de nouvelles tâches et connaissances tout en conservant l'accès aux données précédemment acquises. Ce processus exige une mémoire à haut débit simultanée pour les mises à jour d'entraînement actives et une capacité de stockage importante pour les données historiques, entraînant une croissance simultanée de la demande pour les HBM, les DDR5 serveur et les SSD entrepris à partir de 2027, selon l'analyse de Citi.
Quelle est la taille des déficits projetés entre l'offre et la demande pour le DRAM et le NAND ?
Citi prévoit des rapports offre-demande en DRAM de -8,7 % en 2027 et de -9,7 % en 2028, avec une demande en hausse de 30 % et 35 % contre une croissance de l'offre de 19 % et 22 %. Pour le NAND, les rapports sont projetés à -6,1 % et -5,5 % alors que la demande augmente de 29 % et 33 % tandis que l'offre s'étend de 21 % et 25 %.
Quelles entreprises Citi met-elle en avant comme principaux bénéficiaires ?
La banque cite Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, SanDisk et Kioxia comme ses principaux choix en matière de mémoire, en raison de leurs positions dans l'HBM, le DDR5 pour serveurs et le stockage entrepris à haute densité. Les fournisseurs d'équipements tels qu'Applied Materials et Lam Research devraient également bénéficier d'une augmentation des dépenses en capital.
Pourquoi une augmentation des dépenses en capital ne résoudra-t-elle pas rapidement la pénurie ?
Même si les dépenses en capital pour la mémoire augmentent de 46,5 % pour atteindre 80,4 milliards de dollars en 2027, les capacités greenfield nécessitent des délais de plusieurs années pour la construction, l'installation des équipements et la qualification des processus. Les installations existantes sont limitées par la complexité du conditionnement et des transitions technologiques plus lentes, laissant la demande de 2027 non satisfaite par l'offre disponible.
Comment Citi interprète les récents ajustements de la spécification HBM ?
La banque considère les réductions potentielles du contenu mémoire par accélérateur comme une mesure d'efficacité contrainte par l'offre, permettant d'expédier davantage d'accélérateurs dans la limite de la disponibilité limitée de HBM, et non comme un signe de demande affaiblie. Les révisions à la hausse des prévisions de demande en bits HBM soutiennent cette évaluation.
Quel rôle les IA personnelles et les IA physiques jouent-elles dans la perspective à plus long terme ?
Citi s'attend à ce que ces applications créent un plancher de demande durable en exigeant une mémoire persistante du contexte utilisateur et un stockage continu des données des capteurs. Une fois largement adoptées, elles devraient maintenir une consommation de mémoire élevée même si les charges de travail d'entraînement pures s'atténuent, soutenant les pénuries jusqu'en 2031.
Avertissement : Ce contenu est fourni à titre informatif uniquement et ne constitue pas un conseil en investissement. Les investissements comportent des risques. Veuillez effectuer vos propres recherches (DYOR).
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