Posiblemente, la información más valiosa de los últimos días de noticias sobre la industria de memoria provino del CEO de Lam Research, Tim Archer.
Durante la llamada de resultados del 21 de octubre de 2026, Archer explicó que la creciente adopción de NAND SLC para IA podría aumentar la capacidad de obleas necesaria para suministrar la misma cantidad de almacenamiento. Veamos esto más de cerca.
Específicamente, pasar de productos TLC a SLC reduce el número de bits almacenados por celda a aproximadamente un tercio. Como resultado, dijo él, cada aumento del 1% en la participación de SLC dentro del total de bits NAND requeriría aproximadamente un 2% más de capacidad de obleas para satisfacer la misma demanda total de bits.
Algunos lectores podrían preguntarse si SLC es un enfoque obsoleto para la producción de NAND, utilizado principalmente en productos heredados.
Lejos de ello. SLC es un área altamente prometedora que podría desempeñar un papel en NAND similar al que HBM juega en DRAM.
Los clientes de NAND, incluidos NVIDIA y los hyperscalers, están desarrollando productos de próxima generación basados en SLC. Dentro del ecosistema de NVIDIA, el enfoque está en XL-Flash basado en SLC, también conocido como NAND de alto IOPS. Fuera del ecosistema de NVIDIA, SLC también se utiliza como base para HBF.
En resumen, igualar la capacidad de almacenamiento de una oblea TLC requiere aproximadamente tres obleas SLC, mientras que igualar una oblea QLC requiere aproximadamente cuatro. A medida que la producción de estos productos basados en SLC aumente, consumirán una cantidad creciente de capacidad de obleas NAND. Así como HBM generó escasez en DRAM, estos productos podrían crear una dinámica similar en NAND.
Con HBF y XL-Flash programados para entrar en producción masiva en 2028 y 2027, respectivamente, creo que deberíamos considerar si las previsiones de algunos analistas de que los precios de NAND comenzarán a caer en el cuarto trimestre de 2027 podrían ser demasiado conservadoras.