SK Hynix lanza I+D de DRAM apilada en 3D para almacenamiento de IA en el borde

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SK Hynix está avanzando en la investigación y desarrollo de DRAM apilado en 3D para almacenamiento en edge AI, en asociación con MetaEra. La empresa está contratando ingenieros de diseño en EE. UU. y planea co-desarrollar la tecnología con clientes. Esta noticia en cadena destaca una tendencia clave en las noticias de IA + cripto, ya que la memoria apilada está diseñada para potenciar la IA en edge en la era post-generativa. Las pilas de diseño integran la memoria directamente en los chips lógicos, con el objetivo de mejorar el rendimiento de los dispositivos de IA de próxima generación.
ME AI Noticias: SK Hynix está acelerando el desarrollo de la tecnología DRAM de próxima generación considerada para AI en el extremo: DRAM apilado en 3D. Se sabe que la empresa ha iniciado recientemente un plan de contratación de talento y planea colaborar con clientes estadounidenses para diseñar conjuntamente esta tecnología. El diseño de DRAM apilado en 3D es una tecnología semiconductora de próxima generación que consiste en apilar directamente chips de memoria sobre semiconductores lógicos (semiconductores de sistema). Se espera que, en la era del AI físico tras el AI generativo, esta tecnología se convierta en la solución semiconductora central para dispositivos de AI en el extremo. Recientemente, SK Hynix está reclutando ingenieros de diseño de DRAM apilado en 3D a través de su filial americana en San José, California, para impulsar el desarrollo de esta tecnología. Haz clic en el enlace original a continuación para unirte al canal de noticias de AI de Beating · Feishu, que monitorea continuamente 24/7 los temas y noticias globales sobre AI. (Fuente: BlockBeats)
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