SK Hynix explora el desarrollo de DRAM 3D utilizando procesos de foundry

ChainCatcher informa que el 9 de septiembre, SK Hynesis indicó que el desarrollo de la próxima generación de memoria 3D DRAM puede aprovechar procesos de fabricación por contrato. El día anterior, durante el Foro Futuro de SK Hynesis 2026 celebrado en el centro Supex del parque de Yeoju, los vicepresidentes Kim Kyung-hoon y Son Ho-young presentaron las principales direcciones tecnológicas de la 3D DRAM, incluyendo el uso de procesos de fabricación lógica para los circuitos periféricos de DRAM, la maximización del ancho de banda del bus de datos y la transmisión a distancias ultracortas. La 3D DRAM es una memoria DRAM de próxima generación que apila verticalmente las unidades de memoria previamente dispuestas en plano para aumentar la densidad de integración. Ambos destacaron que, además de los desafíos de diseño y disipación térmica, se deben resolver simultáneamente problemas en el ámbito del empaquetado, como interconexiones microscópicas, unión y integración de procesos. A medida que los límites entre la fabricación delantera y trasera, así como entre la fabricación por contrato y la tecnología de memoria, se acercan, la optimización conjunta más allá de los campos tradicionales será cada vez más importante. Son Ho-young señaló que la tecnología 3D está transformando los límites técnicos entre las fábricas de obleas y el empaquetado, y que se debe establecer un nuevo sistema de optimización y colaboración más allá de los campos existentes junto con innovaciones en empaquetado avanzado. El profesor Shin Chang-hwan de la Universidad Korea, quien también presentó sobre el mismo tema, afirmó que la 3D DRAM no solo implica apilar chips verticalmente, sino que también rompe los límites entre memoria y lógica; dado que la miniaturización de dispositivos se acerca a sus límites y el movimiento de datos entre sistemas y memoria incrementa el tiempo y el consumo energético, la transición hacia la tecnología 3D es inevitable, y propuso un marco de diseño integrado 3D que vincule inteligencia artificial con materiales, dispositivos, empaquetado y arquitectura. El presidente de SK Hynesis, Kwon Ro-jae, dijo en su discurso que antes el mercado de memorias era como una carrera lineal en la que se comparaba quién corría más rápido, pero ahora es como una pista con curvas que cambian constantemente; además de las capacidades internas, es crucial comprender la velocidad y dirección de los cambios en el entorno externo y adaptarse con flexibilidad.