Odaily Planet Daily News: SK Hynix y SanDisk han publicado la primera especificación estándar de la próxima generación de tecnología de almacenamiento basada en NAND flash, denominada High Bandwidth Flash (HBF). SK Hynix presentó esta especificación en FMS 2026, celebrado del 4 al 6 de agosto en Santa Clara, California, EE. UU.
HBF apila el NAND flash mediante una configuración de apilamiento vertical similar a la memoria de alto ancho de banda (HBM) para aumentar la capacidad y la velocidad de transferencia de datos. Esta especificación define dos configuraciones de apilamiento: 8 y 16 capas de NAND die, con una capacidad máxima de 512 GB y tres niveles de ancho de banda, que admiten de 0.4 TB a 3.0 TB por segundo.
La conexión de HBF con los procesadores utiliza el estándar de la industria UCIe, que permite conectar diferentes tipos de procesadores, como GPU y CPU. Esta especificación se ha hecho pública mediante la colaboración de tecnología de centros de datos abiertos OCP, y el consorcio HBF incluye actualmente a Google y a la empresa de semiconductores de IA Tenstorrent.
SK Hynix también revelará por primera vez en este evento la oblea y el producto de 10.ª generación (V10) de 375 capas de NAND 4D en desarrollo, y planea iniciar la producción en masa a principios del próximo año de SSD empresariales de alto rendimiento y alta capacidad (eSSD) basados en esta tecnología.