Samsung presenta BV-NAND y zHBM para IA, afirmando una densidad 10 veces superior a la de HBM5

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Samsung reveló sus soluciones de memoria BV-NAND y zHBM en el Future Memory Summit, dirigidas a aplicaciones de IA con una densidad 10 veces mayor que la HBM5. El prototipo BV-NAND, basado en MetaEra, utiliza tecnología de unión de obleas con más de 400 capas, ofreciendo una densidad un 58 % mayor y un rendimiento más rápido que el V9 NAND. Los conceptos zHBM y zNAND-O apilan la memoria verticalmente sobre chips de IA para aumentar el ancho de banda y la eficiencia. Con el índice de miedo y codicia mostrando optimismo cauteloso, las altcoins a vigilar podrían beneficiarse de estos avances en hardware. Samsung afirma una eficiencia energética 3 veces mejor y una resistencia térmica un 50 % menor.
ME AI anunció en la conferencia Future Memory and Storage (FMS) celebrada en Santa Clara, California, EE. UU., su prototipo de V10 Bonding V-NAND, también conocido como BV-NAND. Este chip cuenta con más de 400 capas y utiliza una nueva arquitectura de unión de obleas para aumentar la densidad de almacenamiento y mejorar el rendimiento. Samsung afirma que su tecnología BV-NAND mejora la densidad de almacenamiento en aproximadamente un 58% en comparación con la generación anterior V9 NAND, al mismo tiempo que incrementa el rendimiento en lectura, escritura e entrada/salida para satisfacer la creciente demanda de soluciones de almacenamiento de mayor capacidad y mayor eficiencia energética para sistemas de inteligencia artificial. Samsung también presentó modelos conceptuales de lo que denomina el primer zHBM y la arquitectura zNAND-O del mundo. Esta tecnología almacena más datos en un espacio más pequeño mediante la apilación vertical de unidades de almacenamiento. A diferencia del enfoque tradicional de empaquetar HBM junto a procesadores de IA, el zHBM de Samsung apila verticalmente el almacenamiento encima del acelerador de IA, reduciendo la distancia de transmisión de datos, aumentando el ancho de banda y mejorando la eficiencia energética. Samsung indica que su tecnología de unión de obleas tiene el potencial de lograr una densidad de almacenamiento más de 10 veces superior a la memoria HBM5 tradicional, aumentar la eficiencia energética en tres veces y reducir más de la mitad la resistencia térmica. (Fuente: BlockBeats)
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