Samsung Electronics apuesta por que las máquinas más caras jamás construidas para la fabricación de chips le darán una ventaja decisiva en la guerra de la memoria. La empresa anunció una asociación estratégica mejorada con ASML el 8 de septiembre de 2026, comprometiéndose a implementar la litografía High-NA EUV en la producción masiva de DRAM para 2028.
Si Samsung alcanza ese objetivo, sería la primera vez que un fabricante de chips utiliza la tecnología High-NA EUV en el sector DRAM.
Qué significa realmente High-NA EUV
La litografía EUV, o litografía de ultravioleta extrema, es la tecnología que imprime patrones de circuitos extremadamente pequeños sobre obleas de silicio utilizando luz con una longitud de onda de solo 13,5 nanómetros. “High-NA” se refiere a una apertura numérica más alta en el sistema de lentes, que aumenta de 0,33 a 0,55, permitiendo que la máquina imprima patrones aún más finos con una mejor resolución.
El beneficio práctico para DRAM: menos pasos de fabricación, patrones de circuito más precisos y mayor eficiencia. El EUV de alta NA facilita capacidades de exposición única, simplificando el complejo multi-patrones previamente requeridos por los equipos EUV antiguos.
Estas máquinas no son baratas. Cada herramienta High-NA EUV cuesta entre $350 millones y $400 millones.
El cambio de la máscara fotográfica de 12 pulgadas
Más allá del compromiso destacado de EUV, Samsung también participará en una iniciativa liderada por ASML para desarrollar máscaras fotolíticas de 12 pulgadas, reemplazando el formato de 6 pulgadas que ha sido el estándar de la industria durante décadas.
Las máscaras fotolíticas son esencialmente los moldes utilizados para transferir diseños de circuitos sobre obleas de silicio. Se espera que el cambio a máscaras de 12 pulgadas aumente la productividad de fabricación en aproximadamente un 40%.
¿Por qué DRAM antes que chips lógicos?
La empresa no planea utilizar EUV de alta NA para sus operaciones de lógica y fabricación hasta alrededor de 2030, cuando espera alcanzar nodos de proceso de clase 1 nm. Sin embargo, tiene como objetivo 2028 para DRAM.
El CEO de Samsung, Young Hyun Jun, enmarcó la asociación en términos explícitamente centrados en la IA, afirmando que la innovación tecnológica en toda la cadena de valor de los chips es esencial en la era de la IA.
Qué significa esto para el panorama de los semiconductores
El anuncio de Samsung ejerce presión sobre sus rivales SK Hynix y Micron Technology, las otras dos empresas del oligopolio de DRAM que controlan colectivamente la gran mayoría del suministro global de DRAM. Para ASML, esta asociación valida la viabilidad comercial de su línea de productos más avanzada. ASML es el único proveedor mundial de equipos de litografía EUV.
TSMC tiene como objetivo un lanzamiento para 2030 de nodos avanzados similares, mientras que Intel ha iniciado aplicaciones limitadas de la tecnología High-NA EUV. Para los inversores que siguen la cadena de suministro de semiconductores, la métrica clave a vigilar no es el anuncio en sí, sino la trayectoria del gasto en capital de Samsung durante los próximos dos años. Los pedidos de herramientas High-NA EUV, las actualizaciones de instalaciones y el gasto en desarrollo de fotomáscaras servirán como indicadores adelantados de si el objetivo de 2028 está en curso.