ChainCatcher informa que Samsung Electronics planea completar el desarrollo de la tecnología de empaquetado avanzado 3D Cube-H a principios de 2027 y finalizar su primer kit de diseño, tras lo cual iniciará evaluaciones con clientes potenciales. Esta tecnología logra el apilamiento vertical de chips mediante unión híbrida, y está orientada principalmente a semiconductores de IA de alto rendimiento, permitiendo apilar chips lógicos como GPU o integrar chips lógicos sobre chips de memoria como HBM. Samsung Electronics ya ha desarrollado previamente el 3D Cube-T, que utiliza la técnica de unión por compresión térmica, y actualmente está avanzando en el 3D Cube-H con un espaciado de terminales de aproximadamente 6 micrómetros, mientras que el espaciado mínimo de terminales en la unión por compresión térmica es de aproximadamente 25 micrómetros. La unión híbrida, al conectar directamente el cobre entre chips, permite reducir el espaciado de terminales, aumentar la densidad de conexión y disminuir el consumo energético por bit; además, sus características de disipación térmica difieren de las soluciones basadas en unión por compresión térmica.
Samsung completará el desarrollo del 3D Cube-H a principios de 2027
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Resumen
Samsung completará el desarrollo de la tecnología 3D Cube-H a principios de 2027, junto con un kit de diseño. La tecnología utiliza unión híbrida para apilar chips verticalmente, dirigida a semiconductores de alto rendimiento para IA. Puede apilar chips lógicos como GPUs o emparejarlos con memoria HBM. Samsung previamente desarrolló 3D Cube-T con unión por compresión térmica. Ahora, 3D Cube-H ofrece un paso de terminal de 6 micrómetros, reducido desde 25 micrómetros. La unión híbrida conecta directamente cobre entre chips, mejorando la densidad, reduciendo el consumo de energía y mejorando el rendimiento térmico. Este desarrollo se alinea con las tendencias crecientes en noticias de IA + cripto.
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