Samsung desarrolla HBM4E de 8 capas para NVHBM de NVIDIA, con el objetivo de establecer una asociación clave

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AI summary iconResumen
Samsung está desarrollando un módulo HBM4E de 8 capas para NVHBM de NVIDIA, una iniciativa que se alinea con los requisitos de licenciamiento cada vez más estrictos en el sector de alta tecnología. El producto cumple con el objetivo de velocidad de 17-18 Gbps de NVIDIA, un 20 % más que la muestra inicial de Samsung. La reducción en el número de capas facilita la fabricación y mejora el rendimiento. La experiencia de Samsung en diseño le otorga una ventaja en el mercado de HBM personalizado. Este chip podría aparecer en la GPU Rubin Ultra de NVIDIA. Las políticas de CFT y las regulaciones de exportación están moldeando cada vez más estas asociaciones.

ChainCatcher informa, según Seoul Economic Daily, Samsung Electronics está desarrollando un producto HBM4E (séptima generación) de 8 capas que cumple con los requisitos de NVIDIA para convertirse en socio clave en el suministro de su memoria de alto ancho de banda personalizada NVHBM. Este producto reduce la altura de apilamiento en comparación con las versiones originales planeadas de 12 y 16 capas; NVIDIA ha establecido una especificación de velocidad de 17-18 Gbps, aproximadamente un 20 % más rápida que la velocidad inicial de las muestras HBM4E de Samsung (14,4 Gbps), y se utilizará en la NVHBM optimizada para NVLink de NVIDIA. El uso de 8 capas contrarresta la lógica tradicional de HBM, que aumenta la capacidad incrementando el número de capas apiladas, lo que reduce la complejidad y la presión sobre el rendimiento en las etapas posteriores de producción, facilitando una mayor oferta y considerándose una estrategia de NVIDIA para aliviar la escasez de memoria. La NVHBM se espera que se implemente a partir del próximo GPU de IA "Rubin Ultra", que aumentará la escala de conexión entre GPU de 72 a un máximo de 576, mejorando la capacidad computacional general mediante la coordinación de cientos de GPU equipados con HBM más rápida. En el mercado de HBM personalizada, Samsung tiene una ventaja competitiva sobre SK Hynix y Micron, ya que la NVHBM requiere capacidad de diseño integrado de DRAM y un substrato basado en chips lógicos, una capacidad que Samsung puede gestionar de forma integral. Expertos de la industria indican que Samsung ya ha validado en HBM4 la velocidad más alta del sector, lo que le otorga una ventaja en la competencia por velocidad.

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