Samsung y SK Hynix aumentarán la producción de NAND en China con inversiones en equipo

ChainCatcher informa, según ZDNet Korea, que Samsung Electronics y SK Hynitz planean continuar invirtiendo en equipos para sus líneas de producción de NAND flash en China hasta el próximo año, con el fin de fortalecer sus puntos de producción locales. Desde principios de este año, Samsung ya ha iniciado inversiones para convertir su línea X2 en Xi'an a la tecnología V9 NAND, un producto de avanzado proceso con aproximadamente 280 capas apiladas, que se espera alcance una capacidad mensual de 40.000 a 50.000 obleas. Para garantizar la producción en masa estable, la empresa ha confirmado un plan de inversión adicional centrado en la adquisición de equipos adicionales de grabado; los pedidos relacionados podrían confirmarse a finales de este año, y la inversión adicional se implementará a partir del segundo semestre del próximo año. Por su parte, SK Hynitz ha comenzado a invertir en equipos para la actualización de productos NAND en su fábrica Dalian 2 desde el tercer trimestre de este año. La escala discutida equivale aproximadamente a una capacidad mensual de 30.000 obleas, y los equipos clave de fabricación comenzarán a llegar el próximo mes, con el plan de completar su instalación antes del primer semestre del próximo año. La fábrica de Dalian es un activo adquirido por SK Hynitz en la segunda mitad de 2020 tras la compra de la división NAND de Intel; en 2022 se celebró la ceremonia de inauguración de la Fábrica 2 para expandir la producción, pero posteriormente se suspendió la inversión debido a condiciones del mercado y otros factores, y ahora se ha reanudado. Expertos de la industria señalan que estos planes buscan expandir gradualmente la capacidad avanzada de NAND en China para hacer frente al rápido crecimiento de la demanda de almacenamiento de alta gama en sectores como los servidores de inteligencia artificial.