Samsung y SK Hynix aumentan la I+D y la inversión en HBM y tecnología de memoria de próxima generación

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En las últimas noticias de criptomoneda, Samsung y SK Hynix están aumentando la I+D y la inversión en HBM y tecnología de memoria de próxima generación. Samsung gastó 16 billones de KRW ($116 mil millones) en I+D en el Q2 y está expandiendo su línea de almacenamiento de alta gama, incluyendo HBM4, HBM4E y DDR5. SK Hynix está trabajando en HBM5, unión híbrida e iHBM, con un gasto de capital esperado de 40 billones de KRW ($326 mil millones) este año.

Noticia de Huoxing Finance: Samsung Electronics y SK Hynix de Corea del Sur están acelerando su implementación en HBM y tecnologías de almacenamiento de próxima generación para mantener su ventaja competitiva. Samsung Electronics indicó que su inversión en I+D en el segundo trimestre alcanzó un récord de 16 billones de wons coreanos (aproximadamente 11.600 millones de dólares estadounidenses) y planea ampliar su presencia en productos de almacenamiento de gama alta como HBM4, HBM4E y DDR5. SK Hynix, por su parte, está desarrollando tecnologías de próxima generación como HBM5, unión híbrida e iHBM, con una proyección de gasto de capital de 40 billones de wons coreanos (aproximadamente 32.600 millones de dólares estadounidenses) para este año.

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