ChainCatcher informa que Samsung Electronics y SK Hynix de Corea del Sur están acelerando su implementación en HBM y tecnologías de almacenamiento de próxima generación para mantener su ventaja competitiva. Samsung Electronics indicó que su inversión en I+D durante el segundo trimestre alcanzó un récord de 16 billones de won coreanos (aproximadamente 11.600 millones de dólares estadounidenses) y planea expandir su presencia en productos de almacenamiento de alto rendimiento como HBM4, HBM4E y DDR5. SK Hynix, por su parte, está desarrollando tecnologías de próxima generación como HBM5, hybrid bonding e iHBM, con una proyección de gasto de capital de 40 billones de won coreanos (aproximadamente 32.600 millones de dólares estadounidenses) para este año.
Samsung y SK Hynix impulsan la I+D y la inversión en HBM
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Resumen
Samsung y SK Hynix están aumentando la I+D y la inversión en HBM y tecnologías de memoria de próxima generación. Samsung gastó 16 billones de KRW ($116 mil millones) en I+D en el segundo trimestre y planea lanzar HBM4, HBM4E y DDR5. SK Hynix está trabajando en HBM5, unión híbrida e iHBM, con gastos de capital que se espera alcancen los 40 billones de KRW ($326 mil millones) este año. Este movimiento se produce mientras las noticias sobre criptomonedas destacan la creciente demanda de hardware de alto rendimiento en el sector de noticias de criptomonedas.
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