Mensaje de BlockBeats, 9 de septiembre: según el Seoul Economic Daily, Samsung Electronics desarrollará conjuntamente con ASML, el mayor fabricante mundial de equipos de litografía, la tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta apertura numérica (High-NA). Samsung participa en un esfuerzo destinado a impulsar un cambio en los estándares de la industria: pasar de las máscaras de litografía de 6 pulgadas, en uso desde la década de 1980, a versiones de 12 pulgadas, y busca ser el primero en establecer un sistema de producción masiva de DRAM basado en equipos de High-NA EUV.
Samsung planea aplicar equipos de EUV de alta NA en la producción de DRAM a partir de 2028, y posteriormente extenderá esta tecnología a un proceso lógico avanzado de 1.4 nanómetros para impulsar su negocio de fabricación de obleas. Ampliar el tamaño de la máscara tiene como objetivo compensar las limitaciones de la tecnología EUV. La apertura numérica del EUV de alta NA es un 66 % mayor que la del EUV tradicional, lo que permite formar patrones de circuito más finos. Reemplazar las máscaras actuales de 6 pulgadas por máscaras de 12 pulgadas aumentará la eficiencia de producción en la fábrica y reducirá los costos de fabricación de chips.