Kioxia acelera el diseño de NAND para IA y lanza productos PCIe 6.0 y UFS 5.0

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AI summary iconResumen
Kioxia está intensificando su juego de NAND para IA, lanzando el eSSD PCIe 6.0 'CM10' y planeando almacenamiento UFS 5.0 para fin de año. Este movimiento ocurre mientras el índice de miedo y codicia en los sectores de tecnología y altcoins para vigilar muestra un creciente impulso alcista. El NAND 3D de 332 capas de Kioxia ya está en producción masiva, con velocidades de lectura hasta un 92 % superiores a la generación anterior. Sus rivales surcoreanos Samsung y SK Hynix siguen liderando en cuota de mercado, pero la rápida iteración tecnológica de Kioxia podría cambiar el equilibrio. Samsung también avanza con sus propios productos PCIe 6.0 y UFS 5.0, mientras que las altcoins para vigilar permanecen en el radar de los operadores amid las actualizaciones de hardware.

ChainCatcher informa que el fabricante japonés de NAND, Kioxia, está acelerando su expansión en el mercado de NAND para IA, habiendo iniciado ya la producción en masa de su NAND 3D de 10.ª generación (BiCS 10) con 332 capas este año, y lanzado el eSSD para centros de datos "CM10" compatible con PCIe 6.0, que mejora el rendimiento de lectura secuencial hasta un 92 % respecto a la generación anterior. Además, Kioxia planea iniciar la producción en masa de almacenamiento embebido UFS 5.0 antes de fin de año, con velocidades de transmisión de datos aproximadamente el doble que las de UFS 4.1, enfocándose principalmente en el mercado de dispositivos móviles con IA en el extremo. Según datos de TrendForce, la cuota de mercado global de Kioxia en NAND durante el primer trimestre de este año fue del 13,9 %, ocupando el tercer puesto, detrás de Samsung Electronics (31,6 %) y SK Hynix (17,6 %). Los fabricantes coreanos también están acelerando sus esfuerzos. Samsung ya inició la producción en masa del eSSD PCIe 6.0 "PM1763" el mes pasado, que incorpora V-NAND de 9.ª generación y un controlador de 4 nm, y planea iniciar la producción en masa de UFS 5.0 en el cuarto trimestre. Samsung también anunció que a partir de este mes comenzará la producción en masa de V-NAND de 10.ª generación (aproximadamente 430 capas), utilizando por primera vez técnicas de unión híbrida y apilamiento triple. Los analistas del sector consideran que Kioxia es altamente competitiva en velocidad de iteración tecnológica, pero aún mantiene una brecha en escala de capacidad productiva respecto a los fabricantes coreanos, lo que hará que la competencia en el mercado de almacenamiento para IA se vuelva aún más intensa en el futuro.

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