Noticia de Huoxing Finance: el 3 de agosto, el primer ETF mundial exclusivamente centrado en memoria, Roundhill Memory ETF (DRAM), completó su última reequilibración, incluyendo a ChangXin Memory Technologies, fabricante chino de DRAM, entre sus diez mayores posiciones, con un peso del 2.52%, ocupando el octavo lugar. Los datos muestran que, en el mismo período, DRAM redujo su exposición a GigaDevice, empresa china de almacenamiento cotizada en A-shares, disminuyendo su peso del 2.91% al 1.51% y bajando su posición al décimo lugar. ChangXin Memory Technologies se convirtió en el activo de almacenamiento chino con mayor peso dentro de este ETF. Expertos del mercado indican que la inclusión de ChangXin Memory Technologies en un ETF global centrado en almacenamiento significa que el capital internacional está comenzando a prestar mayor atención al desarrollo de la industria china de DRAM. Actualmente, ChangXin Memory Technologies aparece junto a fabricantes globales de almacenamiento como Samsung Electronics, Micron Technology y SK Hynix en la misma cartera de inversión. ChangXin Memory Technologies debutó en el Mercado de Ciencia y Tecnología (STAR Market) el 27 de julio, con un precio de emisión de 8.66 yuanes; cerró su primer día de negociación en 49 yuanes, con un aumento diario del 465.82%. Al cierre del 3 de agosto, el precio de la acción de la empresa se situaba en 54.99 yuanes, con una capitalización bursátil aproximada de 3.68 billones de yuanes. Según datos de Omdia, en el cuarto trimestre de 2025, la cuota de mercado global de DRAM de ChangXin Memory Technologies fue aproximadamente del 7.67%, ocupando el cuarto lugar mundial. El Roundhill Memory ETF se listó el 2 de abril de 2026 en la bolsa Cboe BZX de Estados Unidos, siendo el primer ETF mundial dedicado exclusivamente al sector de chips de memoria. Los datos indican que, tras tres meses de cotización, su volumen superó los 25 mil millones de dólares, con sus diez mayores posiciones compuestas por Samsung Electronics, Micron Technology, SK Hynix, Western Digital, Seagate Technology, SanDisk, Kioxia Holdings, ChangXin Memory Technologies, Nanya Technology y GigaDevice. Recientemente, las acciones globales de chips de almacenamiento han experimentado una corrección: el 3 de agosto, el índice compuesto de Corea del Sur cayó un 5.12%, mientras que las acciones de Samsung Electronics y SK Hynix descendieron cerca del 9%. Morgan Stanley considera que la liquidación reciente del capital apalancado podría abrir nuevas oportunidades de entrada para inversiones en IA y ciclos industriales.
El ETF de memoria global añade ChangXin Technology; el líder chino de DRAM atrae la atención del capital internacional
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Resumen
Las entradas de ETF en el Roundhill Memory ETF (DRAM) continuaron cuando el fondo añadió ChangXin Technology a sus diez principales posiciones el 3 de agosto de 2026, con un peso del 2,52%. El ETF redujo su stake en GigaDevice, disminuyendo su peso al 1,51%. ChangXin ahora ocupa el octavo lugar como mayor posición y es la empresa china de almacenamiento con mayor peso en la cartera. Las diez principales posiciones del ETF incluyen Samsung Electronics, Micron Technology y SK Hynix. ChangXin, cotizada en el STAR Market, cerró en 54,99 RMB, con una capitalización de mercado de 3,68 billones de RMB. Se registraron salidas de ETF en fondos apalancados, con Morgan Stanley sugiriendo nuevas oportunidades de entrada en ciclos de IA e industriales.
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