El ETF de memoria DRAM añade ChangXin Technology con un peso del 2.52%

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El ETF de memoria DRAM registra entradas de ETF tras añadir ChangXin Technology con un peso del 2,52%. El ETF, lanzado el 2 de abril de 2026, posee activos por $24,55 mil millones y ha generado un rendimiento del 161,5% desde un pico del 190%. Samsung, Micron y SK Hynix controlan más del 73% de la cartera. ChangXin, una de las principales empresas de memoria en acciones A, es la última incorporación. Las salidas de ETF han presionado al sector, pero el ETF sigue siendo una inversión clave en la demanda de memoria.

Odaily Planet Daily informa que el analista on-chain Ai Yi publicó en la plataforma X que el primer ETF puramente de almacenamiento de EE. UU., el DRAM Memory ETF, incluye a ChangXin Memory Technologies. Este ETF se fundó el 2 de abril de 2026, con un tamaño de 24,550 millones de dólares estadounidenses y una rentabilidad que alcanzó temporalmente el 190%; tras una corrección en el sector de almacenamiento, se mantiene en el 161,5%. Samsung, Micron y SK Hynix representan más del 73% combinado, y tras GigaDevice, este es el segundo caso en incluir a un líder chino del almacenamiento en el mercado A, con una ponderación de ChangXin del 2,52%.

Tras su listing en el Science and Technology Innovation Board, la capitalización de ChangXin Technology sigue siendo superior a 3 billones de yuanes y llegó a superar temporalmente los 4 billones de yuanes; a partir del próximo lunes, dejará la fase sin límites de precio y pasará a la fase de negociación convencional.

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