এসকে হাইনিক 1c ড্রাম উৎপাদন ত্বরান্বিত করছে, চতুর্থ ত্রৈমাসিকের মধ্যে স্যামসাংকে ছাড়িয়ে যাবে

ME সংবাদ, ৭ সেপ্টেম্বর (UTC+8), এসকে হাইনিস এখন 10 ন্যানোমিটার প্রজন্মের ষষ্ঠ প্রজন্ম (1c) DRAM উৎপাদনের অংশ বাড়ানোর জন্য তার প্রক্রিয়াকে ত্বরান্বিত করছে। শিল্প বিশ্লেষকদের মতে, এসকে হাইনিসের তৃতীয় চতুর্থাংশে এই রূপান্তর ত্বরান্বিত হবে, যা স্যামসাং ইলেকট্রনিক্সের 31% এর চেয়ে প্রায় 34% এর মাধ্যমে অতিক্রম করতে পারে। এসকে হাইনিস দ্বিতীয় চতুর্থাংশের আয়ের ফোন কনফারেন্সে বলেছিল যে 1c প্রক্রিয়ায় উৎপাদিত DRAM-এর যোগান দ্বিতীয় চতুর্থাংশ থেকেই বাস্তবিকভাবে শুরু হয়েছে, এবং HBM4-এর উৎপাদন বৃদ্ধির সাথে 1c জেনারিক DRAM-এর রপ্তানি বৃদ্ধির ফলে, বছরের দ্বিতীয়ার্ধে বিট-বৃদ্ধির হার প্রথমার্ধের চেয়ে বেশি হবে। স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স HBM4-এর মাধ্যমে 1c DRAM-এর ব্যবহার শুরু করেছে, যা 11.7Gbps-এর কার্যকরী গতিতে চলছে; 1b DRAM-এর সাথে Advanced MR-MUF প্যাকেজিংয়ের মাধ্যমে, এসকে হাইনিস HBM-এর 1c DRAM-এর প্রথমবারের মতো HBM4E-এর পরবর্তী প্রজন্মে HBM-এর core chip-এর হিসাবে 1c DRAM-এর ব্যবহারকেই 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-এর 1c DRAM-এর 1b DRAM-एर एसके हाइनिस ने HBM4E के अगले पीढ़ी से HBM के कोर चिप के रूप में पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से पहली बार व्यावहारिक रूप से अनुमोदित विकास के साथ HBM के लिए अगली पीढ़ी के HBM4E से प