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<p>1/3 🧵 $CXMT，中國 DRAM 技術突破震動全球記憶體股。

美光（$MU）週二下跌高達 5.7%，此前週一已下跌 3.9%。

賣壓延伸至韓國：
• SK 海力士（$SKHY）：-10.1%
• 三星電子：-7.4%

催化劑：中國長鑫存儲技術（$CXMT）宣布其下一代 4F² DRAM 架構取得進展，該架構旨在提升記憶體密度並可能降低生產成本。

CXMT 計劃於 2026 年底前推出基於此技術的 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。

市場的擔憂超越單一產品發布：中國不斷進步的記憶體技術，最終是否會挑戰全球 DRAM 領導者的定價權力？</p>

1/3 🧵 $CXMT，中國 DRAM 技術突破震動全球記憶體股。
美光（$MU）週二下跌高達 5.7%，此前週一已下跌 3.9%。
賣壓延伸至韓國：
• SK 海力士（$SKHY）：-10.1%
• 三星電子：-7.4%
催化劑：中國長鑫存儲技術（$CXMT）宣布其下一代 4F² DRAM 架構取得進展，該架構旨在提升記憶體密度並可能降低生產成本。
CXMT 計劃於 2026 年底前推出基於此技術的 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。
市場的擔憂超越單一產品發布：中國不斷進步的記憶體技術，最終是否會挑戰全球 DRAM 領導者的定價權力？

1/3 🧵 $CXMT，中國 DRAM 技術突破震動全球記憶體股。 美光（$MU）週二下跌高達 5.7%，此前週一已下跌 3.9%。 賣壓延伸至韓國： • SK 海力士（$SKHY）：-10.1% • 三星電子：-7.4% 催化劑：中國長鑫存儲技術（$CXMT）宣布其下一代 4F² DRAM 架構取得進展，該架構旨在提升記憶體密度並可能降低生產成本。 CXMT 計劃於 2026 年底前推出基於此技術的 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。 市場的擔憂超越單一產品發布：中國不斷進步的記憶體技術，最終是否會挑戰全球 DRAM 領導者的定價權力？

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