Щодо ствердження, що TSMC ввійде на ринок пам’яті та зруйнує трьох великих виробників пам’яті Це не має сенсу. Наскільки мені відомо, TSMC працює над цим проектом більше п’яти років, але було б помилкою припускати, що вони розробляють масову DRAM-пам’ять. У TSMC немає IP-прав на DRAM, патентів на DRAM і жодної відповідної технології. На мою думку, термін «3D DRAM» є причиною непорозуміння. Після розмов з експертами галузі я вважаю, що саме так слід розуміти звіти про входження TSMC на ринок DRAM. Раніше опубліковані дослідження TSMC добре відображають напрямок розвитку. На симпозіумі VLSI 2025 року TSMC представила технологію пам’яті на основі оксидних напівпровідників, що використовує комірку з одного транзистора та одного конденсатора (1T1C). Метою було інтегрувати цю пам’ять у просунуті логічні чипи та надати процесорам кеш з низьким споживанням енергії та низькою затримкою. Ключовою особливістю дизайну є те, що масив пам’яті виготовлений безпосередньо в шарах міжз’єднань BEOL (back end of line) логічного чипа. Звичайна DRAM виробляється як окремий чип. Щоб створити масив пам’яті в шарах міжз’єднань просунутого логічного чипа, TSMC використала вибіркові транзистори з оксидним напівпровідниковим каналом та конденсатори, виготовлені за допомогою низькотемпературного процесу. За даними TSMC, тестовий чип, що інтегрує пам’ять та логіку на одному кристалі, працював при напрузі 0,75 В. Час збереження даних перевищував 128 мс, час випадкового читання/запису становив менше 8 нс, а стійкість перевищувала 10¹⁴ циклів. TSMC позиціонувала цю технологію як кеш процесора, що забезпечує більшу щільність, ніж SRAM, зберігаючи при цьому низьке споживання енергії та затримку. Отже, TSMC буде виробляти 3D DRAM як технологію наступного покоління для заміни SRAM. І навіть не в великих обсягах. Хто б там не стверджував, що TSMC буде виробляти DDR або LPDDR — той не має ніякого уявлення про те, про що говорить.