TSMC продовжить використання упаковки з мікробампами для HBM до HBM5

iconChaincatcher
Поділитися
AI summary iconКороткий зміст
TSMC збереже мікросферичну упаковку для HBM у чіпах для ШІ до HBM5, згідно з ChainCatcher. Компанія працює з постачальниками над рішенням з бампами 5 мікрон для масового виробництва у 2028 році. HBM3E використовує бампи 15–25 мкм, тоді як HBM4 переходить на 10 мкм. Трейдери, що оцінюють співвідношення ризику до прибутку, можуть стежити за тим, як технології упаковки впливають на продуктивність та витрати чіпів. ТА для криптовалют рекомендує звертати увагу на активи, пов’язані з напівпровідниками, оскільки впровадження HBM зростає.

ChainCatcher, згідно з інформацією від інсайдерів матеріалів від 2 вересня, TSMC очікує, що в короткостроковій перспективі продовжить використовувати традиційну технологію мікропіків, а не гібридне з’єднання, для підключення високопропускної пам’яті HBM до AI-акселераторів у передових упаковках. З урахуванням циклів розробки відповідних матеріалів, мікропікі з меншим кроком, ймовірно, залишаться у використанні до кінця HBM4 та на початку HBM5. TSMC вже попросила партнерів з матеріалів та обладнання розробити розв’язки для з’єднання та заповнення під основою для мікропіків приблизно 5 мікрометрів. Постачальники з Південної Кореї та Японії вже розпочали розробку, а серійне виробництво мікропіків розміром 5 мкм очікується на другу половину 2028 року. Наразі висота піків для третього покоління розширеної HBM — HBM3E — становить приблизно 15–25 мкм, а для HBM4 — близько 10 мкм. Японські постачальники матеріалів раніше заявляли, що важко забезпечити якість нижче 15 мкм. Зменшення та уточнення піків обумовлено обмеженнями висоти куба HBM та потребою у більш високій щільності з’єднань. Стандарт JEDEC встановлює максимальну висоту стеку HBM на рівні 775 мкм. У передових упаковках CoWoS TSMC HBM-стеки, зібрані постачальниками пам’яті, монтуються на кремнієвий інтерпозит за допомогою мікропіків; стек з 16 шарами DRAM-чипів виконується всередині упаковки HBM такими компаніями, як SK hynix та Samsung Electronics. Перше та друге покоління HBM використовували більш великі припоєві пікі, а мікропікі стали домінуючими приблизно з поколінням HBM3. SK hynix використовує технологію MR-MUF, а Samsung Electronics — TC-NCF. Гібридне з’єднання дозволяє досягти тонших та щільніших з’єднань шляхом прямого з’єднання мідних контактних площадок; TSMC вже застосовує цю технологію на платформі SoIC для стекування логічних чипів, але для підключення HBM до інтерпозиту все ще використовуються мікропікі.

Відмова від відповідальності: Інформація на цій сторінці може бути отримана від третіх осіб і не обов'язково відображає погляди або думки KuCoin. Цей контент надається лише для загального інформування, без будь-яких запевнень або гарантій, а також не може розглядатися як фінансова або інвестиційна порада. KuCoin не несе відповідальності за будь-які помилки або упущення, а також за будь-які результати, отримані в результаті використання цієї інформації. Інвестиції в цифрові активи можуть бути ризикованими. Будь ласка, ретельно оцініть ризики продукту та свою толерантність до ризику, виходячи з ваших власних фінансових обставин. Для отримання додаткової інформації, будь ласка, зверніться до наших Умов використання та Розкриття інформації про ризики.