Odaily Planet Daily: SK Hynix та SanDisk опублікували перший стандартний специфікацію наступного покоління технології зберігання на основі NAND-пам’яті — High Bandwidth Flash (HBF). Специфікацію було представлено SK Hynix 4–6 серпня на FMS 2026 у Сент-Кларі, Каліфорнія, США.
HBF використовує вертикальне стакання NAND-пам’яті, подібне до вертикального стакання HBM, для збільшення ємності та швидкості передачі даних. Специфікація визначає дві конфігурації стакання: 8-шарову та 16-шарову NAND die, ємністю до 512 ГБ, і три рівні пропускної здатності, що підтримують швидкість від 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с.
Підключення HBF до процесорів здійснюється за допомогою галузевого стандарту UCIe, що дозволяє підключати різні типи процесорів, такі як GPU та CPU. Цей стандарт опублікований відкритою спільнотою OCP (Open Compute Project). До консорціуму HBF наразі входять Google та компанія з виробництва штучного інтелекту Tenstorrent.
SK Гіяліс також вперше на цій події відкриє розробку 10-го покоління (V10) 375-шарової 4D NAND-вилки та продукту, а також планує почати масове виробництво високопродуктивних та висококапацитетних корпоративних SSD (eSSD) на основі цієї технології на початку наступного року.
