Samsung Electronics подолала поріг у 1 мільярд доларів США з продажу своїх мікросхем пам’яті наступного покоління з ШІ, досягнувши цього етапу приблизно за чотири місяці після початку масового виробництва. Мікросхеми HBM 4 з високою пропускною здатністю, відправлення яких розпочалося 12 лютого 2026 року, забезпечують підвищення продуктивності більше ніж на 40% порівняно з попередніми стандартами.
Запуск HBM4 та угоду з AMD
Масове виробництво розпочалося у лютому, а до 18 березня компанія уклала меморандум про взаєморозуміння з AMD щодо поставки чіпів HBM4 для GPU Instinct MI455X та процесорів EPYC.
Партнерство спрямоване на пропускну здатність до 3,3 ТБ/с, досягнуту за допомогою виробничого процесу класу 10 нм.
Samsung та NVIDIA провели обговорення на події GTC 2026, присвячених інтеграції HBM4E та майбутній архітектурі HBM5.
HBM4E: 12-шаровий монстр
До травня 2026 року Samsung розпочав поставки зразків своєї 12-шарової HBM4E, яку компанія описує як перший у галузі продукт. Чіпи досягають швидкості до 16 Гбіт/с на контакт, що є специфікацією, розробленою для максимального підвищення енергоефективності при виконанні завдань ІІ.
Що це означає для ланцюжка поставок AI-обладнання
Сума продажів у 1 мільярд доларів, досягнута до 23 червня 2026 року, чітко свідчить про попит. Агресивний графік Samsung — від масового виробництва у лютому до доходів у розмірі мільярда доларів до червня — відображає терміновість у всьому ланцюжку постачання ШІ.
SK Hynix була домінуючим постачальником HBM для NVIDIA у останніх поколіннях, а Micron активно розвиває власні передові рішення для пам’яті. Запуск Samsung HBM4, зокрема зразки HBM4E, є серйозним кроком для відновлення частки ринку в найбільш стратегічно важливому сегменті індустрії пам’яті.