Samsung та SK Hynix збільшать виробництво NAND у Китаї за рахунок інвестицій у обладнання

ChainCatcher повідомляє, що, за даними ZDNet Korea, Samsung Electronics та SK Hynix планують продовжувати інвестування в обладнання для ліній масового виробництва NAND-пам’яті в Китаї до наступного року з метою підсилення виробничих потужностей у регіоні. З початку цього року Samsung вже розпочала інвестиції у перехід на V9 NAND у виробничій лінії X2 у Сіані — цей продукт використовує передову технологію зі збиранням приблизно 280 шарів і передбачає місячну потужність 40–50 тисяч виробів. Для стабілізації масового виробництва компанія вже визначила план додаткових інвестицій, які зосереджені на додатковому закупівлі обладнання для етчингу; відповідні замовлення очікуються на кінець року, а додаткові інвестиції планується почати з другої половини наступного року. SK Hynix з третього кварталу цього року розпочала інвестування в обладнання для оновлення продукції NAND на заводі Dalian 2; обговорювана потужність становить приблизно 30 тисяч виробів на місяць, ключове виробниче обладнання почне поступово вводитися з наступного місяця, а його розміщення планується завершити до першої половини наступного року. Завод у Даліані був отриманий компанією після придбання підрозділу NAND Intel у другій половині 2020 року; у 2022 році було проведено церемонію відкриття заводу 2 для розширення виробництва, але через ринкові умови та інші фактори інвестування в обладнання було призупинено, тепер воно знову запущено. За словами фахівців галузі, ці заходи спрямовані на поступове розширення передових потужностей NAND-пам’яті в Китаї для задоволення швидко зростаючого попиту на високоякісні накопичувачі в таких секторах, як сервери для штучного інтелекту.